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연합인증

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산화물반도체막 및 실리콘산화막 식각 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/08
  • C09K-013/06
  • H01L-021/02
  • H01L-027/32
출원번호 10-2016-0144691 (2016-11-01)
공개번호 10-2018-0047880 (2018-05-10)
등록번호 10-2242933-0000 (2021-04-15)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160144691
발명자 / 주소
  • 강교원 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 **
  • 김동현 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 **
  • 박현우 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 **
  • 김학수 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 **
  • 오정재 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 **
  • 이명호 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 **
출원인 / 주소
  • 주식회사 이엔에프테크놀로지 / 경기도 용인시 기흥구 탑실로**번길 ** (공세동)
대리인 / 주소
  • 김애라
심사청구여부 있음 (2020-10-27)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 산화물 반도체막 및 실리콘 산화막 식각 조성물에 관한 것으로서, 산화물 반도체막과 실리콘 산화막을 동시에 식각함에 있어서 포토레지스트와 산화물반도체막 계면의 식각 바이어스(bias)를 최소화함으로써, 식각 프로파일을 향상시킬 수 있다.

대표청구항

불화암모늄, 반도체막 식각조절제, 바이어스 조절제 및 물을 포함하며, 상기 바이어스 조절제가 에테르계 화합물, 알코올계 화합물, 아민계 화합물 및 음이온계 화합물로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 식각조절제가 무기산 또는 무기산염이며,상기 에테르계 화합물이 탄소수 2 내지 30의 직쇄, 측쇄 또는 고리형으로 1개 이상의 산소원자를 포함하는 것으로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 알코올계 화합물이 탄소수 2 내지 30의 직쇄, 측쇄 또는 고리형으로 2개 이상의 히드록시기를 포함하는 것으로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 아민계 화합물

발명자의 다른 특허 :

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