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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2016-0157619 (2016-11-24) | |
| 공개번호 | 10-2018-0058904 (2018-06-04) | |
| 등록번호 | 10-2708606-0000 (2024-09-13) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020160157619 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2021-10-12) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 질화규소 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, Si(NH)2 분말을 열분해하여 수득한 비정질 질화규소분말을 결정화하기 전 분쇄하는 단계를 더 포함함으로써 비정질 질화규소가 침상 또는 기둥 모양으로 결정화되지 않고 균일한 입상 형태로 결정화되도록 유도한다.본 발명에 따라 제조된 균일한 입상 형태의 질화규소 분말을 사용할 경우 상대적으로 높은 밀도의 질화규소 소결체를 제조하는 것이 가능하다.
(a) SiCl4와 NH3를 기상 반응시켜 Si(NH)2 분말을 포함하는 혼합물을 수득하는 단계;(b) 상기 단계 (a)에서 수득한 혼합물을 열분해하여 비정질 질화규소응집체를 수득하는 단계;(c) 상기 단계 (b)에서 수득한 비정질 질화규소 응집체를 비정질 질화규소 분말로 분쇄하는 단계; 및(d) 상기 단계 (c)에서 분쇄된 비정질 질화규소 분말을 열처리하여 결정화하는 단계; 를 포함하고,상기 단계 (d)의 열처리는 제1 승온 속도로 승온하는 제1 승온 구간과 제2 승온 속도로 승온하는 제2 승온 구간을 포함하며,상기 제2 승온 속
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