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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0160558 (2016-11-29) |
공개번호 | 10-2018-0060722 (2018-06-07) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160160558 |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 티타늄 질화막(TiN)/탄탈륨 질화막(TaN) 적층막의 식각용 조성물로서, 과산화수소, 산 화합물을 포함하고, 잔부의 용매를 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 일 측면은 상기 식각용 조성물을 이용하여 반도체 제조 공정에서 이용되는 티타늄 질화막(TiN)/탄탈륨 질화막(TaN) 적층막의 식각 공정을 제공한다.본 발명에 따른 식각용 조성물은 티타늄 질화막을 우수한 선택도를 가지고 제거할 수 있고, 탄탈륨 질화막의 손상을 최소화 할 수 있으며 보관 안정성이 우수하다.
과산화수소 5 내지 30 중량%,산 화합물 15 내지 50 중량%, 및 잔부의 용매를 포함하는 티타늄 질화막(TiN)/탄탈륨 질화막(TaN) 적층막의 식각용 조성물.
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