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[한국특허] 식각용 조성물 및 식각용 조성물을 이용한 반도체 소자의 식각 방법
Etchant composition for etching and method for etching semiconductor device using the same
원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/04
  • C09K-013/06
  • H01L-021/027
  • H01L-021/306
출원번호 10-2016-0160558 (2016-11-29)
공개번호 10-2018-0060722 (2018-06-07)
DOI http://doi.org/10.8080/1020160160558
발명자 / 주소
  • 최용재 / 경상북도 칠곡군 기산면 주산로 ***-**
  • 임정훈 / 대전광역시 대덕구 송촌로**번길 **, 공원주택 ***호
  • 김민구 / 서울특별시 마포구 독막로**길 *, 마포자이아파트 ***동 ****호
출원인 / 주소
  • 솔브레인 주식회사 / 경기도 성남시 분당구 판교로***번길 ** (삼평동)
대리인 / 주소
  • 특허법인태평양
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 티타늄 질화막(TiN)/탄탈륨 질화막(TaN) 적층막의 식각용 조성물로서, 과산화수소, 산 화합물을 포함하고, 잔부의 용매를 포함한다. 또한, 본 발명의 다른 일 측면은 상기 식각용 조성물을 이용하여 반도체 제조 공정에서 이용되는 티타늄 질화막(TiN)/탄탈륨 질화막(TaN) 적층막의 식각 공정을 제공한다.본 발명에 따른 식각용 조성물은 티타늄 질화막을 우수한 선택도를 가지고 제거할 수 있고, 탄탈륨 질화막의 손상을 최소화 할 수 있으며 보관 안정성이 우수하다.

대표청구항

과산화수소 5 내지 30 중량%,산 화합물 15 내지 50 중량%, 및 잔부의 용매를 포함하는 티타늄 질화막(TiN)/탄탈륨 질화막(TaN) 적층막의 식각용 조성물.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 바로 사용 가능한 안정한 화학 기계적 연마 슬러리 | 패스콸로니앤토니마크, 마훌리카딥팩
  2. [한국] 제2단계 구리 라이너 및 관련된 물질을 위한 CMP조성물및 그 이용방법 | 월츠카, 피터., 베른하드, 데이비드., 보그스, 칼., 다실로, 마이클.
  3. [한국] 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | 정병현
  4. [한국] 질화 금속을 선택적으로 에칭하기 위한 조성물 및 방법 | 첸 티안니우, 토마스 니콜 이, 리피 스티븐, 바네스 제프리 에이, 쿠퍼 에마뉴엘 아이, 장 펭
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