[특허]SiC 성장장치 및 방법

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IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	C30B-023/00 C30B-015/10 C30B-015/18 C30B-015/20 C30B-015/30 C30B-015/32 C30B-015/36 C30B-029/36
출원번호	10-2016-0173999 (2016-12-19)
등록번호	10-1857761-0000 (2018-05-08)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020160173999
발명자 / 주소	기문광 / 경기도 군포시 산본로*번길 백합아파트 **동 호 한중상 / 경기도 고양시 일산서구 가좌로 ** 가좌마을단지아파트 -호 권용성 / 경기도 용인시 기흥구 흥덕중앙로번길 흥덕마을단지경남아너스빌아파트 동 *호
출원인 / 주소	키텍 주식회사 / 전라남도 목포시 대양로 ,사업화지원동-호(연산동)
대리인 / 주소	김태영
심사청구여부	있음 (2016-12-19)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명은 SiC 성장장치 및 방법에 관한 발명으로 규소, 탄소를 포함하는 원료물질이 장입되는 도가니, 상기 도가니를 가열하여 상기 규소, 탄소를 포함하는 원료물질을 SiC용액으로 용융시키기 위한 제1발열수단, 상기 도가니의 상부에 위치하며 상하로 이동되는 탄소를 포함하는 장입부재, 상기 SiC용액으로 탄소를 주입하기 위해서, 상기 장입부재를 용융시키기 위한 제2발열수단, 상기 도가니의 상부에 위치하며 상하로 이동되고, 상기 SiC용액으로 주입하는 용융종자정 어댑터에 부착되어 상기 SiC용액에 성장면이 접하는 종자정을 포함하는 것을

대표청구항 ▼

규소, 탄소를 포함하는 원료물질이 장입되는 도가니;상기 도가니를 가열하여 상기 규소, 탄소를 포함하는 원료물질을 SiC용액으로 용융시키기 위한 제1발열수단;상기 도가니의 상부에 위치하며 상하로 이동되는 탄소를 포함하는 장입부재; 상기 SiC용액으로 탄소를 주입하기 위해서, 상기 장입부재를 용융시키기 위한 제2발열수단; 상기 도가니의 상부에 위치하며 상하로 이동되고, 상기 SiC용액으로 주입하는 용융종자정 어댑터에 부착되어 상기 SiC용액에 성장면이 접하는 종자정을 포함하며,상기 제1발열수단은 저항식 발열체이고, 상기 제2발열수단은 고주파 발열체이며,상기 장입부재는 중앙이 비어 있는 형상이고,상기 장입부재의 중심부에는 상기 종자정이 지나가며,상기 SiC용액의 SiC농도를 상기 SiC용액과 상기 도가니 사이의 전위차를 측정하여 상기 제2발열수단에 의해서 상기 장입부재를 용융시켜서 상기 SiC용액의 탄소 농도를 조절하는 것을 특징으로 하는 SiC 성장장치.

이 특허에 인용된 특허 (2)

[일본] MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL | MARUYAMA TAKAYUKI, KOBAYASHI YOSHINORI, KADOHARA TAKUYA, OKUNO KENICHIRO
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[일본] SUPPORTER, CRYSTAL PRODUCTION APPARATUS, AND PRODUCTION METHOD OF CRYSTAL | DOMOTO CHIAKI, HAYASHI YUICHIRO, KAMIYAMA DAISUKE
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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