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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 공개 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | 16734966 (2020-01-06) |
공개번호 | 20200224328 (2020-07-16) |
우선권정보 | JP-2019-002576 (2019-01-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 0 인용 특허 : 0 |
According to the invention, a SiC single crystal growth crucible includes: a raw material accommodation portion which accommodates a SiC raw material; and a seed crystal support portion which supports a seed crystal disposed on an upper portion of the raw material accommodation portion, in which the
1. A SiC single crystal growth crucible comprising: a raw material accommodation portion which accommodates a SiC raw material; anda seed crystal support portion which supports a seed crystal disposed on an upper portion of the raw material accommodation portion,wherein the raw material accommodatio
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