초록 ▼

반도체 제조 프로세싱 동안에 기판의 온도를 측정하기 위한 어셈블리, 온도 프로브 및 기판을 지지하기 위한 플래튼이 설명된다. 온도 프로브는 온도 센서를 포함한다. 다양한 실시예들이 플래튼의 유전체 플레이트내에 배치된 개구를 갖는 가스 챔버로서, 가스 챔버내 개구 둘레에 배치된 시일로 가스 챔버내 개구가 기판에 맞닿아 밀봉될 수 있는, 상기 가스 챔버를 설명한다. 더욱이, 온도 센서 및 스프링이 가스 챔버내에 배치되고, 스프링은 온도 센서를 기판과 접촉하게 하기 위해 편향된다. 추가적으로, 기판과 온도 센서 사이에서 열 전도도를 증가

반도체 제조 프로세싱 동안에 기판의 온도를 측정하기 위한 어셈블리, 온도 프로브 및 기판을 지지하기 위한 플래튼이 설명된다. 온도 프로브는 온도 센서를 포함한다. 다양한 실시예들이 플래튼의 유전체 플레이트내에 배치된 개구를 갖는 가스 챔버로서, 가스 챔버내 개구 둘레에 배치된 시일로 가스 챔버내 개구가 기판에 맞닿아 밀봉될 수 있는, 상기 가스 챔버를 설명한다. 더욱이, 온도 센서 및 스프링이 가스 챔버내에 배치되고, 스프링은 온도 센서를 기판과 접촉하게 하기 위해 편향된다. 추가적으로, 기판과 온도 센서 사이에서 열 전도도를 증가시키기 위해서 낮은 압력 가스로 가스 챔버를 가압하도록 구성된 가스 소스가 제공된다.

대표청구항 ▼

반도체 제조 프로세싱 동안에 기판의 온도를 측정하기 위한 어셈블리에 있어서,상기 기판의 온도를 측정하기 위한 온도 센서;상기 기판의 이면(backside)상에 전체가 배치되도록 구성된 가스 챔버로서, 상기 가스 챔버는 개구를 갖고, 상기 온도 센서 둘레에 배치되는, 상기 가스 챔버;상기 가스 챔버내 상기 개구 둘레에 배치되는 시일(seal)로서, 상기 시일은 상기 기판에 맞닿아 상기 가스 챔버내 상기 개구를 밀봉하도록 구성되는, 상기 시일; 및 상기 가스 챔버내에 배치된 스프링으로서, 상기 스프링은 상기 온도 센서를 상기 기판과 접

반도체 제조 프로세싱 동안에 기판의 온도를 측정하기 위한 어셈블리에 있어서,상기 기판의 온도를 측정하기 위한 온도 센서;상기 기판의 이면(backside)상에 전체가 배치되도록 구성된 가스 챔버로서, 상기 가스 챔버는 개구를 갖고, 상기 온도 센서 둘레에 배치되는, 상기 가스 챔버;상기 가스 챔버내 상기 개구 둘레에 배치되는 시일(seal)로서, 상기 시일은 상기 기판에 맞닿아 상기 가스 챔버내 상기 개구를 밀봉하도록 구성되는, 상기 시일; 및 상기 가스 챔버내에 배치된 스프링으로서, 상기 스프링은 상기 온도 센서를 상기 기판과 접촉하게 하기 위해 편향되는(biased), 상기 스프링을 포함하는, 어셈블리.