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연합인증

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[한국특허] 반도체 소자의 제조 방법, 웨이퍼 마운트 장치
SEMICONDUCTOR-ELEMENT MANUFACTURING METHOD AND WAFER MOUNTING DEVICE
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IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/78
  • H01L-021/268
  • H01L-021/683
  • H01L-021/687
출원번호 10-2016-7009742 (2016-04-14)
공개번호 10-2016-0055265 (2016-05-17)
등록번호 10-1787926-0000 (2017-10-12)
국제출원번호 PCT/JP2013/077989 (2013-10-15)
국제공개번호 WO 2015/056303 (2015-04-23)
번역문제출일자 2016-04-14
DOI http://doi.org/10.8080/1020167009742
발명자 / 주소
  • 마츠무라 다미오 / 일본 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 내
출원인 / 주소
  • 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 / 일본국 도쿄도 지요다쿠 마루노우치 *쵸메 *반 *고
대리인 / 주소
  • 제일특허법인
심사청구여부 있음 (2016-04-14)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

외주에 중앙부보다 두꺼운 링부가 형성되고, 제 1 면과, 상기 제 1 면과 반대의 면인 제 2 면을 가진 웨이퍼의 상기 제 1 면을 흡착 스테이지에 흡착시키면서, 레이저 광으로 상기 웨이퍼로부터 상기 링부를 절단함으로써, 평탄 웨이퍼를 형성하는 커팅 공정과, 상기 평탄 웨이퍼의 상기 제 2 면을 흡착 핸드에 흡착시키면서, 상기 평탄 웨이퍼를 상기 흡착 스테이지로부터 분리하고, 상기 제 1 면을 다이싱 테이프에 부착하는 부착 공정과, 상기 다이싱 테이프에 부착된 상기 평탄 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다

대표청구항

외주에 중앙부보다 두꺼운 링부가 형성되고, 제 1 면과, 상기 제 1 면과 반대의 면인 제 2 면을 가진 웨이퍼의 상기 제 1 면을 흡착 스테이지에 흡착시키면서, 레이저 광으로 상기 웨이퍼로부터 상기 링부를 절단함으로써, 평탄 웨이퍼를 형성하는 커팅 공정과,상기 평탄 웨이퍼의 상기 제 2 면을 흡착 핸드에 흡착시키면서, 상기 평탄 웨이퍼를 상기 흡착 스테이지로부터 분리하고, 상기 제 1 면을 다이싱 테이프에 부착하는 부착 공정과,상기 다이싱 테이프에 부착된 상기 평탄 웨이퍼를 다이싱하는 다이싱 공정을 구비하되,상기 커팅 공정에서는,

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. [일본] METHOD AND APPARATUS FOR MARKING SEMICONDUCTOR WAFER WITH LASER | NARA NORIHITO
  2. [일본] LASER MACHINING APPARATUS | SEKIYA KAZUMA, YOSHIKAWA TOSHIYUKI
  3. [일본] LASER BEAM MACHINING DEVICE | MICHAEL WILLIAM GADD
  4. [일본] METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE | HIRUTA REIKO
  5. [일본] LASER BEAM MACHINING APPARATUS | YOSHII SHUNGO, NISHINO YOKO

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