초록 ▼

습식 처리된 반도체 웨이퍼로의 입자를 방지한다.반도체 웨이퍼를 약액 처리하고, 순수한 물로 물세척을 행하지 않고, 그 후에 알콜을 포함하는 증기 분위기 속으로 직접 이동하여 건조를 행하는 반도체 웨이퍼의 습식 처리 방법에 있어서, 약액 처리와 건조의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반도체 입자 제거제를 포함하는 약액에 의해 처리한다. 반도체 입자 제거제로서는 입자의 제타 전위를 조정하여 입자 부착 방지를 도모하는 반도체 입자 부착 방지제를 이용한다. 또한, 반도체 콜로이드의 응집을 도모하는 입자의 형성을 방지하는 반도체 콜로이드 응집제

습식 처리된 반도체 웨이퍼로의 입자를 방지한다.반도체 웨이퍼를 약액 처리하고, 순수한 물로 물세척을 행하지 않고, 그 후에 알콜을 포함하는 증기 분위기 속으로 직접 이동하여 건조를 행하는 반도체 웨이퍼의 습식 처리 방법에 있어서, 약액 처리와 건조의 사이에서 반도체 웨이퍼를 반도체 입자 제거제를 포함하는 약액에 의해 처리한다. 반도체 입자 제거제로서는 입자의 제타 전위를 조정하여 입자 부착 방지를 도모하는 반도체 입자 부착 방지제를 이용한다. 또한, 반도체 콜로이드의 응집을 도모하는 입자의 형성을 방지하는 반도체 콜로이드 응집제를 이용한다.

대표청구항

하나의 처리조에서 반도체 웨이퍼의 약물 처리를 행한 후에 상기 반도체 웨이퍼의 물세척을 행하지 않고, 그 후에 상기 반도체 웨이퍼를 알콜을 포함하는 증기 분위기 속으로 직접 이동하여 건조를 행하는 방법에 있어서, 상기 약물 처리와 건조 사이에 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 입자 제거제, 또는 반도체 입자 제거제를 포함하는 용액으로 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 습식 처리 방법.

하나의 처리조에서 반도체 웨이퍼의 약물 처리를 행한 후에 상기 반도체 웨이퍼의 물세척을 행하지 않고, 그 후에 상기 반도체 웨이퍼를 알콜을 포함하는 증기 분위기 속으로 직접 이동하여 건조를 행하는 방법에 있어서, 상기 약물 처리와 건조 사이에 상기 반도체 웨이퍼를 반도체 입자 제거제, 또는 반도체 입자 제거제를 포함하는 용액으로 처리하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 습식 처리 방법.