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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0039164 (2017-03-28) | |
공개번호 | 10-2018-0109429 (2018-10-08) | |
등록번호 | 10-2378930-0000 (2022-03-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170039164 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-03-17) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 질화막 식각 조성물은 인산, 하나의 실리콘(Si) 원자 당 2 이상의 암모늄 그룹이 결합된 실란 암모늄 계열 화합물, 및 여분의 물을 포함한다. 질화막 식각 조성물을 사용하여 산화막의 손상 및 식각 잔여물의 재흡착 없이 질화막을 고선택비로 식각할 수 있다.
인산;화학식 1로 표시되는 실란 암모늄 계열 화합물; 및여분의 물을 포함하는, 질화막 식각 조성물:[화학식 1](화학식 1 중, Ra 및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 또는 탄소수 1 내지 5의 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수임).
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