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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2017-0055376 (2017-04-28) | |
| 공개번호 | 10-2018-0121096 (2018-11-07) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020170055376 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2017-04-28) | |
| 심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
| 법적상태 | 거절 |
본 발명은 기판이 장입된 반응기에 소스 기체로서 실릴렌([1,3-bis(1,1-dimethylethyl)-4,4-dimethyl-1,3-diaza-2 silacyclopent-2-ylidene, tBu_Si])을 공급하여 상기 기판에 흡착시키는 제 1 단계; 및 상기 반응기 내에 질소(N) 성분을 함유하는 플라즈마를 발생시켜 상기 기판 상에 질소를 함유하는 실리콘 단위막을 형성하는 제 2 단계; 를 포함하는 단위사이클을 적어도 1회 이상 수행하는 질소를 함유하는 실리콘 박막의 플라즈마 원자층 증착 방법을 제공한다.
기판이 장입된 반응기에 소스 기체로서 실릴렌([1,3-bis(1,1-dimethylethyl)-4,4-dimethyl-1,3-diaza-2 silacyclopent-2-ylidene, tBu_Si])을 공급하여 상기 기판에 흡착시키는 제 1 단계; 및상기 반응기 내에 질소(N) 성분을 함유하는 플라즈마를 발생시켜 상기 기판 상에 질소를 함유하는 실리콘 단위막을 형성하는 제 2 단계; 를 포함하는 단위사이클을 적어도 1회 이상 수행하는, 질소를 함유하는 실리콘 박막의 플라즈마 원자층 증착 방법.
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