초록

본 발명은 우수한 다이 접합성 및 와이어 접합성을 구현하고 봉지수지의 누설을 효과적으로 억제할 수 있고 이를 통해 QFN 반도체 패키지의 신뢰성과 제조 공정에서 생산성과 효율성을 높일 수 있는 QFN 반도체 패키지, 이의 제조방법 및 QFN 반도체 패키지 제조용 마스크 시트에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 QFN 반도체 패키지는 마스크 시트에 리드프레임을 임프린팅하는 라미네이션 공정을 통해 마스크 시트의 접착층에 접촉단차(contact depth)를 형성하여 제조되는 것을 특징으로 한다.

대표청구항

마스크 시트에 리드프레임을 임프린팅하는 라미네이션 공정을 통해 상기 마스크 시트의 접착층에 0.5 내지 3㎛의 접촉단차(contact depth)를 형성하여 상기 리드프레임과 상기 마스크 시트 사이에서 접촉단차에 의한 클램핑(Clamping) 효과를 가지는 것을 특징으로 하는, QFN 반도체 패키지.

마스크 시트에 리드프레임을 임프린팅하는 라미네이션 공정을 통해 상기 마스크 시트의 접착층에 0.5 내지 3㎛의 접촉단차(contact depth)를 형성하여 상기 리드프레임과 상기 마스크 시트 사이에서 접촉단차에 의한 클램핑(Clamping) 효과를 가지는 것을 특징으로 하는, QFN 반도체 패키지.