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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2017-0073384 (2017-06-12) | |
| 공개번호 | 10-2018-0135363 (2018-12-20) | |
| 등록번호 | 10-1967529-0000 (2019-04-03) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020170073384 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2017-06-12) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 저온 영역에 있어서, 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화막 형성 시 박막 특성을 향상시키는 원자층 증착 방법에 관한 것으로서, 기판에 실리콘 질화막을 증착하기 위해 반응기의 기판에 MCS, DCS, HCDS 등의 Cl기가 포함된 실리콘 선구 물질을 공급하고, 반응기 내의 기판에 흡착된 실리콘 선구 물질과 반응시키기 위한 질소 및 수소, 암모니아 등의 가스를 플라즈마로 여기시켜 공급하고, 부산물 제거 및 기상 반응을 억제하기 위한 퍼지 가스가 교대로 공급되는 실리콘 질화막의 원자층 증착 방법에서, 실리콘 질화막 박막 내에
실리콘 질화막의 제조 방법으로서,반응기내에 기판을 반입하는 단계,반응기내에 염소(Cl)기를 포함하는 실리콘 전구체를 공급하는 단계,상기 반응기를 퍼징하는 제1 퍼징 단계,퍼징된 상기 반응기 내로 질소 함유 가스를 공급하고 플라즈마를 발생시키는 단계,상기 반응기를 퍼징하는 제2 퍼징 단계, 및염소(Cl)가 포함된 가스를 상기 반응기내로 공급하여 상기 기판상에 형성된 실리콘 질화막으로부터 수소를 제거하는 후처리를 행하는 염소 후처리 단계를 포함하는, 실리콘 질화막의 제조 방법.
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