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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2017-0078013 (2017-06-20) | |
| 공개번호 | 10-2018-0137998 (2018-12-28) | |
| 등록번호 | 10-1955095-0000 (2019-02-27) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020170078013 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2017-06-20) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명의 다양한 실시예는 전력 반도체 디바이스에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 빠른 스위칭 속도에도 불구하고 오버 슈트 및 오실레이션 현상을 감소시키고, 이에 따라 EMI 레벨도 저하시킬 수 있는 반도체 디바이스를 제공하는데 있다.이를 위해 본 발명은 액티브 셀 영역; 상기 액티브 셀 영역의 외측에 형성된 다이오드 영역; 상기 다이오드 영역의 외측에 형성된 터미네이션 영역; 및 상기 다이오드 영역에 전기적으로 연결된 스너버 회로 영역을 더 포함하는 전력 반도체 디바이스를 개시한다.
액티브 셀 영역;상기 액티브 셀 영역의 외측에 형성된 다이오드 영역; 상기 다이오드 영역의 외측에 형성된 터미네이션 영역; 및상기 다이오드 영역에 전기적으로 연결된 스너버 회로 영역을 포함하고,상기 스너버 회로 영역은상기 터미네이션 영역의 외측에 형성된 내부 용량성 소자 영역; 및상기 내부 용량성 소자 영역과 상기 다이오드 영역을 전기적으로 연결하되, 상기 터미네이션 영역 위에 형성된 내부 저항성 소자 영역을 포함함을 특징으로 하는 전력 반도체 디바이스.
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