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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC9판) |
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출원번호 | 10-2011-0099663 (2011-09-30) | |
공개번호 | 10-2013-0035398 (2013-04-09) | |
등록번호 | 10-1311542-0000 (2013-09-16) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020110099663 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2011-09-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 서로 인접한 컬럼 층의 경계에서 발생되는 불순물의 급격한 농도 변화를 줄여줌으로써 프로세스 윈도우(process window)를 넓게 할 수 있는 구조를 갖는 전력 반도체 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.일 예로, 제 1 도전성의 기판 영역; 상기 기판 영역의 상부에 형성되는 제 1 도전성의 제 1 반도체 영역; 상기 제 1 반도체 영역의 상부로부터 상기 기판 영역을 향하는 방향으로 일정 깊이로 형성되는 제 2 도전성의 웰 영역; 및 상기 웰 영역의 하부로부터 상기 기판 영역을 향하는 방향을 따라 두께가 점점 두꺼워지는
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