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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0101457 (2017-08-10) | |
공개번호 | 10-2018-0018413 (2018-02-21) | |
등록번호 | 10-2510736-0000 (2023-03-13) | |
우선권정보 | 미국(US) 62/373,232 (2016-08-10) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170101457 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-05) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 실시형태들은 기판의 ALE(atomic layer etching)을 위한 방법을 제공한다.일 실시형태에 따르면, 방법은 기판을 제공하는 단계 및 기판을 에칭하기 위해 Hf(hydrogen fluoride) 가스와 붕소 함유 가스에 기판을 노출시키는 단계를 포함한다.다른 실시형태에 따르면, 방법은 금속 산화물 필름을 포함하는 기판을 제공하는 단계; 금속 산화물 필름 상에 플루오르화 표면 층을 형성하기 위해 HF 가스에 기판을 노출시키는 단계; 및 금속 산화물 필름으로부터 플루오르화 표면 층을 제거하기 위해 붕소 함유 가스에
원자 층 에칭(ALE, atomic layer etching)의 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계; 및플라즈마의 부재 하에서 상기 기판을 에칭하기 위해 HF(hydrogen fluoride) 가스 및 붕소 함유 가스에 상기 기판을 노출시키는 단계를 포함하고,상기 노출시키는 단계는, 상기 기판을 추가적으로 에칭하기 위해 적어도 1회 반복되는 상기 HF 가스 및 붕소 함유 가스에 대한 교번 노출(alternating exposure)을 포함하는 것인, 원자 층 에칭(ALE)의 방법.
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