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황화주석(II)(SnS) 박막 형성 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-016/30
  • C23C-016/455
  • G01N-027/12
출원번호 10-2017-0122094 (2017-09-21)
공개번호 10-2019-0033383 (2019-03-29)
등록번호 10-2029180-0000 (2019-09-30)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170122094
발명자 / 주소
  • 김성근 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
  • 백인환 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
  • 김상태 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
  • 백승협 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
  • 최지원 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
  • 김진상 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
  • 강종윤 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 *
출원인 / 주소
  • 한국과학기술연구원 / 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
대리인 / 주소
  • 이인행; 김한; 김남식
심사청구여부 있음 (2017-09-21)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명은 기판 상에 불순물이 없는 고품질의 황화 주석(SnS) 박막 및 그 박막을 합성하는 방법, 그리고 공정 온도 제어를 통해 이차원의 결정을 갖는 황화 주석(SnS) 박막을 합성하는 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

기판 상에 주석 전구체와 황 전구체를 이용한 화학적 기상증착법(chemical vapor deposition)으로 황화주석(II)(SnS) 박막을 형성하는 방법으로서, 상기 주석 전구체는 주석의 산화가가 +2가인 금속유기화합물이며, 상기 황화주석(II)(SnS) 박막은 화학양론적으로 형성되고,상기 황화주석(II)(SnS) 박막을 형성하기 위한 기판의 온도는 210℃ 내지 240℃의 범위를 가지며,상기 황화주석(II)(SnS) 박막은, 사방정계 SnS(o-SnS)가 단독으로 존재하는 상을 가지고, 상기 사방정계 SnS(o-SnS)는

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