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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0058386 (2018-05-23) | |
공개번호 | 10-2019-0133443 (2019-12-03) | |
등록번호 | 10-2061501-0000 (2019-12-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180058386 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-05-23) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 기저막 상에 상대적으로 저온에서 이황화주석 시드층을 형성하는 제 1 단계 및 상기 이황화주석 시드층 상에 상대적으로 고온에서 이황화주석 메인층을 형성하는 제 2 단계를 포함하는, 황화주석 박막의 형성 방법을 제공한다.
기저막 상에 상대적으로 저온에서 이황화주석 시드층을 형성하는 제 1 단계; 및상기 이황화주석 시드층 상에 상대적으로 고온에서 이황화주석 메인층을 형성하는 제 2 단계; 를 포함하되, 상기 제 1 단계에서 상기 상대적으로 저온은 90℃ 내지 200℃이며,상기 제 2 단계에서 상기 상대적으로 고온은 200℃ 내지 300℃인,황화주석 박막의 형성 방법.
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