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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0124250 (2017-09-26) | |
공개번호 | 10-2019-0035245 (2019-04-03) | |
등록번호 | 10-1989976-0000 (2019-06-11) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170124250 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-09-26) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법은, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LE
기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계; 상기 LED 에피층 상에 Barrier 층을 성장시키는 단계;상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층, 그리고 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계; 및상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서
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