초록 ▼

히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서의 제조 방법은, 기판에 n 타입 또는 p타입 GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층 상에 GaN (AlxGa1-xN, InxAl1-xN, 고저항 GaN 포함) 기반의 단층 또는 다층으로 이루어진Barrier 층을 성장시키는 단계와; 상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층 및 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로

히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서의 제조 방법은, 기판에 n 타입 또는 p타입 GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층 상에 GaN (AlxGa1-xN, InxAl1-xN, 고저항 GaN 포함) 기반의 단층 또는 다층으로 이루어진Barrier 층을 성장시키는 단계와; 상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층 및 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다. 따라서, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법은, n-GaN(또는 p-GaN)층을 이용하여 HEMT 구조 또는 쇼트키(Schottky) 다이오드 구조의 센서를 가열하여 센서의 감도를 높이고, 회복시간을 단축시킬 수 있다.

대표청구항 ▼

기판에 n 타입 또는 p타입 GaN 층을 성장시키는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층 상에 Barrier 층을 성장시키는 단계;상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층, 그리고 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계; 및상기 AlxGa1-xN층,

기판에 n 타입 또는 p타입 GaN 층을 성장시키는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층 상에 Barrier 층을 성장시키는 단계;상기 Barrier 층 상에 u-GaN 층, 그리고 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계; 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계; 및상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층은, 상기 전극을 지나 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층의 횡방향으로 전류의 흐름 동안, 열을 발생시키는 히터 기능을 수행하고,상기 Barrier 층은, 상기 n 타입 또는 p타입 GaN 층에 흐르는 전류가 상기 Barrier 층을 지나 상기 u-GaN 층, 그리고 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층으로 흐르는 것을 막는, 히터 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 제조 방법.