초록 ▼

본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정용 기판 처리 시스템은 전력을 공급하는 전원 공급부, 상기 전원 공급부로부터 전력을 공급받고, 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부, 상기 전원 공급부와 상기 플라즈마 발생부 사이에 구비되는 임피던스 정합기, 및 내부에 기판을 지지하는 기판 지지대가 구비되고, 상기 플라즈마 발생부로부터 라디칼을 공급받아 기판처리 공정이 수행되는 공정챔버를 포함하고, 상기 기판처리 공정은, 에칭(Etching)공정, 에싱(Ashing)공정, 화학기상증착(CVD)공정, 원자층증착

본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정용 기판 처리 시스템은 전력을 공급하는 전원 공급부, 상기 전원 공급부로부터 전력을 공급받고, 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부, 상기 전원 공급부와 상기 플라즈마 발생부 사이에 구비되는 임피던스 정합기, 및 내부에 기판을 지지하는 기판 지지대가 구비되고, 상기 플라즈마 발생부로부터 라디칼을 공급받아 기판처리 공정이 수행되는 공정챔버를 포함하고, 상기 기판처리 공정은, 에칭(Etching)공정, 에싱(Ashing)공정, 화학기상증착(CVD)공정, 원자층증착(ALD)공정 및 플라즈마 화학증착(PECVD)공정 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.

대표청구항 ▼

전력을 공급하는 전원 공급부;상기 전원 공급부로부터 전력을 공급받고, 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부;상기 전원 공급부와 상기 플라즈마 발생부 사이에 구비되는 임피던스 정합기; 및내부에 기판을 지지하는 기판 지지대가 구비되고, 상기 플라즈마 발생부로부터 라디칼을 공급받아 기판처리 공정이 수행되는 공정챔버를 포함하고, 상기 플라즈마 발생부에서 상기 라디칼이 배출되는 가스 배출구의 개폐를 제어하는 제어수단을 더 포함하고,상기 기판처리 공정은, 원자층증착(ALD)공정을 포함하고,상기 원자층증착(ALD

전력을 공급하는 전원 공급부;상기 전원 공급부로부터 전력을 공급받고, 가스 공급부로부터 가스를 공급받아 플라즈마를 생성하는 플라즈마 발생부;상기 전원 공급부와 상기 플라즈마 발생부 사이에 구비되는 임피던스 정합기; 및내부에 기판을 지지하는 기판 지지대가 구비되고, 상기 플라즈마 발생부로부터 라디칼을 공급받아 기판처리 공정이 수행되는 공정챔버를 포함하고, 상기 플라즈마 발생부에서 상기 라디칼이 배출되는 가스 배출구의 개폐를 제어하는 제어수단을 더 포함하고,상기 기판처리 공정은, 원자층증착(ALD)공정을 포함하고,상기 원자층증착(ALD)공정은,상기 공정챔버 내로 프리커서를 공급하는 단계;상기 공정챔버 내로 퍼지가스를 공급하는 단계; 및상기 플라즈마 발생부로부터 상기 공정챔버 내로 상기 라디칼을 공급하는 단계를 포함하고,상기 프리커서 및 상기 퍼지가스는 상기 플라즈마 발생부를 통하지 않고 상기 공정챔버로 공급되고, 상기 라디칼은 상기 제어수단을 이용해서 상기 가스 배출구의 개폐를 제어하여 상기 라디칼을 공급하는 단계에 상기 플라즈마 발생부로부터 상기 공정챔버 내로 제공되는,반도체 공정용 기판 처리 시스템.