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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0178592 (2017-12-22) | |
공개번호 | 10-2018-0075418 (2018-07-04) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020160178756 (2016-12-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170178592 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 식각용 조성물 및 이 식각용 조성물을 이용한 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 식각용 조성물은 제 1 무기산, 화학식 1로 표시되는 제 1 첨가제, 그리고 용매를 포함한다.상기 식각용 조성물은 산화막의 식각율을 최소화하면서 질화막을 선택적으로 제거할 수 있으며, 소자 특성에 악영향을 미치는 파티클 발생 등의 문제점을 갖지 않는 고선택비의 식각용 조성물이다.
제 1 무기산,하기 화학식 1로 표시되는 제 1 첨가제, 그리고용매를 포함하는 식각용 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에서,상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기, 탄소수 2 내지 20의 알케닐기, 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 20의 아미노알킬기, 탄소수 6 내지 20의 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 알킬카보닐기, 탄소수 1 내지 20의 알킬카보닐옥시기 및 탄소수 1 내지 10의 시아노알킬기로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이
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