초록 ▼

팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FOWLP) 및 형성 방법이 기술된다.실시예에서, 패키지는 제1 라우팅 층, 제1 라우팅 층의 상부면 상의 제1 다이, 및 제1 라우팅 층 상에서 제1 다이를 캡슐화하는 제1 몰딩 화합물을 포함한다.제1 복수의 전도성 필라가 제1 라우팅 층의 하부면으로부터 연장된다.제2 다이가 제2 라우팅 층의 상부면 상에 있고, 제1 복수의 전도성 필라는 라우팅 층의 상부면 상에 있다.제2 몰딩 화합물은 제2 라우팅 층 상에서 제1 몰딩 화합물, 제1 라우팅 층, 제1 복수의 전도성 필라, 및 제2 다이를 캡슐화한다.일

팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FOWLP) 및 형성 방법이 기술된다.실시예에서, 패키지는 제1 라우팅 층, 제1 라우팅 층의 상부면 상의 제1 다이, 및 제1 라우팅 층 상에서 제1 다이를 캡슐화하는 제1 몰딩 화합물을 포함한다.제1 복수의 전도성 필라가 제1 라우팅 층의 하부면으로부터 연장된다.제2 다이가 제2 라우팅 층의 상부면 상에 있고, 제1 복수의 전도성 필라는 라우팅 층의 상부면 상에 있다.제2 몰딩 화합물은 제2 라우팅 층 상에서 제1 몰딩 화합물, 제1 라우팅 층, 제1 복수의 전도성 필라, 및 제2 다이를 캡슐화한다.일 실시예에서, 복수의 전도성 범프(예를 들어, 솔더 볼)가 제2 라우팅 층의 하부면으로부터 연장된다.

대표청구항 ▼

패키지로서,제1 재배선 라인을 포함하는 제1 라우팅 층;제1 접촉 패드를 포함하는 제1 다이 - 상기 제1 다이는 상기 제1 라우팅 층의 상부면 상에 위치하고, 상기 제1 재배선 라인은 상기 제1 접촉 패드 상에 직접 형성됨 -;상기 제1 라우팅 층 상에서 상기 제1 다이를 캡슐화하는 제1 몰딩 화합물;상기 제1 라우팅 층의 하부면으로부터 연장되는 제1 복수의 전도성 필라(conductive pillar);제2 라우팅 층 - 상기 제1 복수의 전도성 필라는 상기 제2 라우팅 층의 상부면 상에 있음 -;상기 제2 라우팅 층의 상부면

패키지로서,제1 재배선 라인을 포함하는 제1 라우팅 층;제1 접촉 패드를 포함하는 제1 다이 - 상기 제1 다이는 상기 제1 라우팅 층의 상부면 상에 위치하고, 상기 제1 재배선 라인은 상기 제1 접촉 패드 상에 직접 형성됨 -;상기 제1 라우팅 층 상에서 상기 제1 다이를 캡슐화하는 제1 몰딩 화합물;상기 제1 라우팅 층의 하부면으로부터 연장되는 제1 복수의 전도성 필라(conductive pillar);제2 라우팅 층 - 상기 제1 복수의 전도성 필라는 상기 제2 라우팅 층의 상부면 상에 있음 -;상기 제2 라우팅 층의 상부면 상의 제2 다이; 및상기 제2 라우팅 층 상에서 상기 제1 몰딩 화합물, 상기 제1 라우팅 층, 상기 제1 복수의 전도성 필라, 및 상기 제2 다이를 캡슐화하는 제2 몰딩 화합물을 포함하는, 패키지.