[특허]탄화규소의 에피택셜 성장 방법

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)	C30B-029/36 C23C-016/32 C23C-016/452 C30B-025/14 H01L-021/205
출원번호	10-2017-7014352 (2017-05-26)
공개번호	10-2017-0077188 (2017-07-05)
우선권정보	일본(JP) JP-P-2015-025642 (2015-02-12)
국제출원번호	PCT/JP2016/054179 (2016-02-12)
국제공개번호	WO 2016/129685 (2016-08-18)
번역문제출일자	2017-05-26
DOI	http://doi.org/10.8080/1020177014352
발명자 / 주소	이토 와타루 / 일본 ******* 도쿄도 치요다쿠 마루노우치 초메 방 고 신닛테츠스미킨카부시키카이샤 내 아이고 다카시 / 일본 ****** 도쿄도 치요다쿠 마루노우치 초메 방 고 신닛테츠스미킨카부시키카이샤 내 후지모토 다츠오 / 일본 ****** 도쿄도 치요다쿠 마루노우치 초메 방 *고 신닛테츠스미킨카부시키카이샤 내
출원인 / 주소	신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 / 일본 도꾜도 지요다꾸 마루노우찌 쪼메 방 *고
대리인 / 주소	양영준; 최인호; 성재동
심사청구여부	있음 (2017-05-26)
심사진행상태	거절결정(일반)
법적상태	거절

초록 ▼

본 발명은 열 CVD법에 의한 SiC 박막의 에피택셜 성장에 있어서, 도핑 밀도의 면내 균일성을 높일 수 있음과 함께, 균일한 막 두께로 SiC 박막을 성장시키는 방법을 제공한다.상기 방법은, 탄화수소 가스와 규소 원료 가스를 C/Si비로 0.5 이상 1.5 이하의 범위가 되도록 탄화규소 단결정 기판 상에 공급하고, 열 CVD법에 의해 1500℃ 이상 1800℃ 미만의 온도에서 반응시키고, 탄화규소 박막을 탄화규소 단결정 기판 상에 형성하는 탄화규소의 에피택셜 성장 방법에 있어서, 1000℃ 이상 1200℃ 이하로 가열한 탄화수소

대표청구항 ▼

탄화수소 가스 및 규소 원료 가스를 열 CVD법에 의해 반응시키고, 탄화규소 박막을 탄화규소 단결정 기판 상에 형성하는 탄화규소의 에피택셜 성장 방법이며,C/Si비로 0.5 이상 1.5 이하의 범위가 되도록 탄화수소 가스 및 규소 원료 가스의 비율을 조정하고,1000℃ 이상 1200℃ 이하로 가열한 탄화수소 분해 촉매에 상기 탄화수소 가스를 접촉시키고, 상기 탄화수소 가스의 적어도 일부를 탄소와 수소로 분해하여,상기 탄화수소 가스에 함유되는 탄소와 상기 규소 원료 가스에 함유되는 규소를 1500℃ 이상 1800℃ 미만의 온도에서 상

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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