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연합인증

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[한국특허] 마그네트론 스퍼터링 장치 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C23C-014/35
  • C23C-014/34
  • H01J-037/34
출원번호 10-2017-7036035 (2017-12-14)
공개번호 10-2018-0011151 (2018-01-31)
우선권정보 일본(JP) JP-P-2015-104441 (2015-05-22)
국제출원번호 PCT/JP2016/002308 (2016-05-11)
국제공개번호 WO 2016/189809 (2016-12-01)
번역문제출일자 2017-12-14
DOI http://doi.org/10.8080/1020177036035
발명자 / 주소
  • 나카무라, 신야 / 일본 ***-**** 가나가와켄 치가사키시 하기소노 **** 가부시키가이샤 알박 내
  • 후지이, 요시노리 / 일본 ***-**** 가나가와켄 치가사키시 하기소노 **** 가부시키가이샤 알박 내
출원인 / 주소
  • 가부시키가이샤 알박 / 일본 가나가와껭 지가사끼시 하기소노 ****반찌
대리인 / 주소
  • 특허법인에이아이피
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

간단한 구성으로, 막두께 분포의 편향을 효과적으로 억제할 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공한다.진공 챔버(1)와, 이 진공 챔버에 착탈 가능한 캐소드 유닛(C)을 구비하고, 캐소드 유닛은, 진공 챔버 내를 향하도록 설치되는 타겟(2)과, 타겟의 스퍼터면과 배향하는 측에 배치되어 스퍼터면측에 누설 자장을 발생시키는 자석 유닛(4)을 가지는 본 발명의 마그네트론 스퍼터링 장치(SM)는, 진공 챔버 내에서 타겟에 대향 배치되는 처리 기판(W)에 대해서 타겟을 스퍼터링하여 성막하는 동안, 타겟 중심을 회전 중심으로 하여 자석 유닛을

대표청구항

진공 챔버와, 이 진공 챔버에 착탈 가능한 캐소드 유닛을 구비하고, 캐소드 유닛은, 진공 챔버 내를 향하도록 설치되는 타겟과, 타겟의 스퍼터면과 배향하는 측에 배치되어 스퍼터면측에 누설 자장을 발생시키는 자석 유닛을 가지는 마그네트론 스퍼터링 장치로서, 진공 챔버 내에서 타겟에 대향 배치되는 처리 기판에 대해서 타겟을 스퍼터링하여 성막하는 동안, 타겟 중심을 회전 중심으로 하여 자석 유닛을 회전 구동하는 구동원을 가지는 것에 있어서,상기 처리 기판에 성막했을 때에 생기는 막두께 분포의 편향(deviation)의 방위에 일치시켜 진공

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [미국] Magnetron sputtering source for low pressure operation | Lai Kwok F. (Palo Alto CA)
  2. [미국] Ultra-high vacuum apparatus and method for high productivity physical vapor deposition. | Moslehi Mehrdad M., Davis Cecil J., Heimanson Dorian
  3. [미국] Physical vapor processing of a surface with non-uniformity compensation | Licata Thomas J., Hurwitt Steven D.
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