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연합인증

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오믹 접촉 구조 및 이를 통해 제조된 반도체 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/45
  • H01L-021/02
  • H01L-021/027
  • H01L-021/04
출원번호 10-2018-0006177 (2018-01-17)
공개번호 10-2019-0087848 (2019-07-25)
등록번호 10-2013515-0000 (2019-08-16)
DOI http://doi.org/10.8080/1020180006177
발명자 / 주소
  • 김성준 / 경상북도 포항시 남구 연일읍 유강길*번길 **, ***호 형산빌
  • 강민재 / 경상북도 포항시 남구 지곡로 ***, ***동 ***호 (지곡동, 효자그린아파트)
  • 강민식 / 경기도 용인시 수지구 광교마을로 **, ****동 ****호 (상현동, 광교상록자이아파트)
  • 이남석 / 경상북도 포항시 남구 지곡로 **, **동 ***호 (효자동, 승리아파트)
  • 김홍기 / 경상북도 포항시 북구 중흥로***번길 **-*, ***호 (죽도동, 마중물)
  • 신훈규 / 경상남도 양산시 하북면 평산마을길 *-**
출원인 / 주소
  • 포항공과대학교 산학협력단 / 경상북도 포항시 남구 청암로 ** (지곡동)
대리인 / 주소
  • 특허법인 무한
심사청구여부 있음 (2018-01-17)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 발명은 오믹 접촉 구조 및 이를 통해 제조된 반도체 소자에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는, SiC 반도체 기판; 및 접촉층 및 캡층을 포함하는 오믹 전극;을 포함하고, 상기 접촉층은 상기 SiC 반도체 기판 상에 형성되고, 금속 탄소화물 및 금속 규화물의 형성을 억제하며, 상기 캡층은 상기 접촉층 상에 형성되고, 금속 산화물의 형성을 억제하는 것인, 오믹 접촉 구조 및 이를 통해 제조된 반도체 소자에 관한 것이다.

대표청구항

삭제

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법 | 김성준, 김현수
  2. [한국] Ⅲ족 질화물 이종 접합 구조 소자의 선택적 저온 오믹 콘택 형성 방법 | 선우문욱, 이정엽, 문창렬, 박용영, 양우영, 오재준, 황인준
  3. [일본] SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | OKAMURA YUJI, MATSUSHITA MASASHI
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