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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0006177 (2018-01-17) | |
공개번호 | 10-2019-0087848 (2019-07-25) | |
등록번호 | 10-2013515-0000 (2019-08-16) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180006177 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-01-17) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 오믹 접촉 구조 및 이를 통해 제조된 반도체 소자에 관한 것으로서, 더욱 자세하게는, SiC 반도체 기판; 및 접촉층 및 캡층을 포함하는 오믹 전극;을 포함하고, 상기 접촉층은 상기 SiC 반도체 기판 상에 형성되고, 금속 탄소화물 및 금속 규화물의 형성을 억제하며, 상기 캡층은 상기 접촉층 상에 형성되고, 금속 산화물의 형성을 억제하는 것인, 오믹 접촉 구조 및 이를 통해 제조된 반도체 소자에 관한 것이다.
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