초록

본 발명은 반도체를 만들기 위한 웨이퍼의 가공용 보호코팅제, 이를 포함하는 웨이퍼 가공용 보호코팅제 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 등의 표면에 코팅되어 제조 공정 중에 웨이퍼의 표면을 보호할 수 있는 웨이퍼 가공용 보호코팅제 조성물 및 이를 포함하는 웨이퍼 가공용 보호코팅제 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 보호코팅제 조성물;[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, R13 및 R14는 각각 독립적으로 C1 ~ C10의 알킬렌기이고, R15는 C1 ~ C10의 알킬기이며, R24 및 R25는 각각 독립적으로 또는 이고, R0은 이고, R9, R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소 또는 C1 ~ C10의 알킬기이며, R12는 C1 ~ C10의 알킬렌기이고, R1은, 또는 이고, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및

하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 보호코팅제 조성물;[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서, R13 및 R14는 각각 독립적으로 C1 ~ C10의 알킬렌기이고, R15는 C1 ~ C10의 알킬기이며, R24 및 R25는 각각 독립적으로 또는 이고, R0은 이고, R9, R10 및 R11은 각각 독립적으로 수소 또는 C1 ~ C10의 알킬기이며, R12는 C1 ~ C10의 알킬렌기이고, R1은, 또는 이고, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로 C1 ~ C15의 알킬렌기이며, n, m, l은 각각 독립적으로 1 ~ 50인 유리수이고, R20은 C1 ~ C10의 알킬렌기, 또는 이며, R27, R28, R29, R30 및 R31은 각각 독립적으로 C1 ~ C10의 알킬렌기이고, R21, R22 및 R23은 각각 독립적으로 C1 ~ C10의 알킬기이고, R16은 C1 ~ C10의 알킬기이며,[화학식 2]상기 화학식 2에 있어서, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소, 아릴기 또는 C1 ~ C10의 알킬기이다.