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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0016410 (2018-02-09) | |
등록번호 | 10-1907637-0000 (2018-10-05) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180016410 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-02-09) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘질화막의 식각 조성물에 관한 것으로, 반도체 공정에서 실리콘질화막을 식각하여 제거하는 데 사용되며, 고온의 식각 공정에서 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 식각 속도가 선택적으로 높은 반도체 제조용 실리콘질화막의 고선택비 식각 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 고선택비 식각 조성물은 적층되어 있는 실리콘질화막과 실리콘산화막 중 실리콘질화막을 선택적으로 식각, 즉 2000 : 1 이상의 선택비로 식각하는 동시에 실리콘산화막에 데미지 및 식각속도를 최소화 하고 공정시간에 따른 실리콘산화막의 재성장이 일어나지 않는
하기 화학식 1 또는 화학식 2 로 표시되는 화합물과, 인산, 실리콘 화합물, 아미노산 화합물 및 물을 포함하고, 실리콘산화막에 대하여 실리콘질화막을 선택적으로 식각하는 실리콘질화막의 식각 조성물.[화학식 1][화학식 2](상기 화학식 1 또는 화학식 2에서,R1, R2 는 서로 독립적으로 수소, 히드록시기, 알킬기 또는 카르복시기로부터 선택된다.)
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