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실리콘질화막 식각 조성물 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/06
출원번호 10-2018-0062247 (2018-05-31)
등록번호 10-1953380-0000 (2019-02-22)
DOI http://doi.org/10.8080/1020180062247
발명자 / 주소
  • 이석호 / 경기도 용인시 기흥구 죽현로 ***-**
  • 송정환 / 서울특별시 양천구 목동서로 ***, 대림아크로빌 ****호 (신정동)
  • 전성식 / 경기도 수원시 영통구 권광로***번길 ** 매탄현대힐스테이트 ***-****호
  • 조성일 / 경기도 평택시 원칠원길 ** 동광아파트 ***동 ***호
  • 김병탁 / 인천광역시 계양구 봉오대로***번길 **, ***동 ****호 (효성동, 태산아파트)
  • 임아현 / 경기도 평택시 원칠원길 ** 동광아파트 ***동 ***호
  • 이준우 / 전라북도 완주군 봉동읍 봉동동서로 **
출원인 / 주소
  • 엘티씨에이엠 주식회사 / 경기도 평택시 산단로**번길 **(모곡동)
대리인 / 주소
  • 특허법인명인
심사청구여부 있음 (2018-05-31)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명은 실리콘질화막 식각용 조성물에 대한 것으로, 상기 식각용 조성물은 무기산, 규소계 화합물 및 물로 이루어지고 불소를 포함하지 않으며 하부 금속막의 손상 및 실리콘산화막의 식각율을 최소화 하면서 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있다.

대표청구항

무기산, 화학식1로 표기되는 규소계 화합물 및 물을 포함하고, 불소를 포함하지 않으며, 질화막에 대한 식각 속도가 산화막에 대한 식각 속도보다 200배 이상인실리콘질화막 식각용 조성물.[화학식 1](R1)3-Si-R2-Si-(R1)3상기 화학식 1에서 R1은 서로 독립적으로 수소 원자, 하이드록시기, C1-10의 알킬기 또는 C1-10의 알콕시기이며, 여섯 개의 R1 중에 적어도 두 개 이상은 하이드록시기 또는 C1-10의 알콕시기이고, R2는 C2-10의 치환될 수 있는 알킬렌기이고, 상기 치환은 치환되는 상기 작용기에 포함된 하

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | 임정훈, 이진욱, 박재완
  2. [한국] 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | 이진욱, 임정훈, 박재완

이 특허를 인용한 특허 (1)

  1. [한국] 실리콘 질화막 식각 조성물 | 김동현, 박현우, 이명호, 송명근
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