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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0062247 (2018-05-31) | |
등록번호 | 10-1953380-0000 (2019-02-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180062247 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-05-31) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 실리콘질화막 식각용 조성물에 대한 것으로, 상기 식각용 조성물은 무기산, 규소계 화합물 및 물로 이루어지고 불소를 포함하지 않으며 하부 금속막의 손상 및 실리콘산화막의 식각율을 최소화 하면서 실리콘질화막을 선택적으로 제거할 수 있다.
무기산, 화학식1로 표기되는 규소계 화합물 및 물을 포함하고, 불소를 포함하지 않으며, 질화막에 대한 식각 속도가 산화막에 대한 식각 속도보다 200배 이상인실리콘질화막 식각용 조성물.[화학식 1](R1)3-Si-R2-Si-(R1)3상기 화학식 1에서 R1은 서로 독립적으로 수소 원자, 하이드록시기, C1-10의 알킬기 또는 C1-10의 알콕시기이며, 여섯 개의 R1 중에 적어도 두 개 이상은 하이드록시기 또는 C1-10의 알콕시기이고, R2는 C2-10의 치환될 수 있는 알킬렌기이고, 상기 치환은 치환되는 상기 작용기에 포함된 하
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