초록

본 발명은 기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 1 단계; 및 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제1 단계; 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제2 단계;상기 분할영역마다 형성된 상기 결정질의 탄화실리콘 박막에 소자 구조체 및 센서 구조체 중의 적어도 어느 하나를 형성하는 제3 단계; 및상기 분할영역의 경계에 대응하도록 상기 기판을 소잉(sawing)하여 복수의 개별칩을 수득

기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제1 단계; 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제2 단계;상기 분할영역마다 형성된 상기 결정질의 탄화실리콘 박막에 소자 구조체 및 센서 구조체 중의 적어도 어느 하나를 형성하는 제3 단계; 및상기 분할영역의 경계에 대응하도록 상기 기판을 소잉(sawing)하여 복수의 개별칩을 수득하는 제4 단계;를 포함하며, 상기 제1 단계는 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 증착하기 전에 상기 기판 상에 기저막을 형성하는 단계; 상기 기저막을 상기 분할영역의 경계에 대응하도록 패터닝함으로써 선패턴(prior pattern)을 형성하는 단계; 상기 선패턴이 형성된 상기 기판 상에 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 증착하는 단계;를 포함하고,상기 선패턴은 내측이 오목한 형태인 폐쇄 패턴이며, 상기 탄화실리콘 박막이 증착되는 두께는 상기 선패턴의 높이 보다 크지 않도록상기 분할영역마다 형성된 상기 결정질의 탄화실리콘 박막은 상기 폐쇄 패턴의 내측에 각각 증착된 박막인 것을 특징으로 하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법.