초록 ▼

본 발명은 접합강도가 우수한 질화세라믹스(AlN, Si3N4) 배선 기판에 관한 것으로서, 소결 후 시간당 100℃ 이하의 속도로 서냉하고, 샌드블라스트법으로 질화규소 표면에 요철을 만들어 접합하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 질화물 세라믹스 배선 기판은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4) 소결체가 본래 구비하는 고강도 특성과 함께, 특히 활성금속 접합법(Active Metal Brazed Copper:AMC)을 이용하여, 접합강도가 우수하여 신뢰성이 높고, 열전도율 및 방열성이 우수하기 때문에 대전력용 및 대용량

본 발명은 접합강도가 우수한 질화세라믹스(AlN, Si3N4) 배선 기판에 관한 것으로서, 소결 후 시간당 100℃ 이하의 속도로 서냉하고, 샌드블라스트법으로 질화규소 표면에 요철을 만들어 접합하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 질화물 세라믹스 배선 기판은 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4) 소결체가 본래 구비하는 고강도 특성과 함께, 특히 활성금속 접합법(Active Metal Brazed Copper:AMC)을 이용하여, 접합강도가 우수하여 신뢰성이 높고, 열전도율 및 방열성이 우수하기 때문에 대전력용 및 대용량용 각종 파워 모듈용 기판으로 적합하게 사용될 수 있다

대표청구항 ▼

90 % 이상의 β화율 질화알루미늄 분체 10 wt.% 및 α형 질화알루미늄 분체 86 wt.%에 소결 보조제로서 3 wt.%의 Y2O3 및 1 wt.%의 희토류원소(La2O3, Gd2O3, Ce2O3, Dy2O3, Yb2O3)중 1종 또는 2종을 첨가하여 혼합원료를 마련하는 단계;상기 혼합원료를 테이프 캐스팅법으로 그린시트를 성형하는 단계;질소가스 분위기에서 400 내지 700℃ 로 2~5 시간 탈지하여 Binder를 제거하는 단계;질소 및 수소 가스 1 내지 10기압 하에서 1800 내지 1900℃ 로 2~10 시간 소결시키는

90 % 이상의 β화율 질화알루미늄 분체 10 wt.% 및 α형 질화알루미늄 분체 86 wt.%에 소결 보조제로서 3 wt.%의 Y2O3 및 1 wt.%의 희토류원소(La2O3, Gd2O3, Ce2O3, Dy2O3, Yb2O3)중 1종 또는 2종을 첨가하여 혼합원료를 마련하는 단계;상기 혼합원료를 테이프 캐스팅법으로 그린시트를 성형하는 단계;질소가스 분위기에서 400 내지 700℃ 로 2~5 시간 탈지하여 Binder를 제거하는 단계;질소 및 수소 가스 1 내지 10기압 하에서 1800 내지 1900℃ 로 2~10 시간 소결시키는 단계;시간당 50 내지 100℃의 속도로 서냉시켜 질화알루미늄 소결기판을 형성시키는 단계;상기 질화알루미늄 소결기판에 활성금속 페이스트로 도전 배선 패턴을 인쇄시키는 단계를; 포함하되,상기 질화알루미늄 소결기판에 도전 배선 패턴을 인쇄하기 위한 활성금속 페이스트는 Ti, Zr, Hf, Mo, Ta, Nb, TiO2, TiN, ZrO2, ZrN, Y2O3, SiO2으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 활성금속을 함유하는 Ag-Cu 페이스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물 세라믹스 활성금속 브레이징 기판의 제조방법.