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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0109090 (2018-09-12) | |
공개번호 | 10-2019-0031162 (2019-03-25) | |
등록번호 | 10-2146095-0000 (2020-08-12) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020170118879 (2017-09-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180109090 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-11-12) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은, 알칼리 가용성 수지와 소정의 구조를 갖는 고분자 광산발생제를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물과, 상기 화학증폭형 포토레지스트 조성물로부터 제조된 포토레지스트 패턴과, 상기 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 이용한 포토레지스트 패턴 제조방법에 관한 것이다.
제1알칼리 가용성 수지; 및광산 발생 작용기(photo-acid generating group)가 C1-20 알킬렌 설파이드를 포함한 작용기를 매개로 제2알칼리 가용성 수지와 결합한 고분자 광산발생제(polymeric photo-acid generator);를 포함하고,상기 광산 발생 작용기(photo-acid generating group)는 하기 화학식 11 또는 화학식 12의 화합물로부터 유래하고,상기 화학식 11 또는 화학식 12의 화합물과 상기 제2알칼리 가용성 수지 중 어느 하나는 이중 결합을 포함한 작용기를 포함하고,
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