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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0122350 (2018-10-15) | |
등록번호 | 10-1973712-0000 (2019-04-23) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180122350 | |
발명자 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-10-15) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치를 이용하여 웨이퍼를 세정하는 공정에서 웨이퍼의 표면 온도를 실시간으로 측정하여 모니터링하는 방법에 관한 것으로, (a) 반도체 웨이퍼 세정장치의 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(Multi-Station Processing Chamber, MPC) 내에서 웨이퍼 표면을 세정하는 단계; (b) 상기 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 내에 각각 설치된 비접촉의 온도센서에서 웨이퍼 표면온도를 감지하는 단계; (c) 상기 온도센서에서 감지된 웨이퍼 표면온도 신호를 증폭기에서 일정 레벨로 증폭하여 출력하는 단계; (d
(a) 반도체 웨이퍼 세정장치의 멀티 스테이션 프로세싱 챔버(Multi-Station Processing Chamber, MPC) 내에서 웨이퍼 표면을 세정하는 단계;(b) 상기 멀티 스테이션 프로세싱 챔버 내에 각각 설치된 비접촉의 적외선(iR) 카메라를 포함하는 온도센서에서 웨이퍼 표면온도를 감지하는 단계;(c) 상기 온도센서에서 감지된 웨이퍼 표면온도 신호를 증폭기에서 일정 레벨로 증폭하여 출력하는 단계;(d) 상기 각 증폭기의 신호를 컨트롤러가 수신하여 컨트롤러에 설치된 애플리케이션 형태의 웨이퍼 표면 모니터링 시스템에서 각
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