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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2018-0131181 (2018-10-30) | |
공개번호 | 10-2020-0048749 (2020-05-08) | |
등록번호 | 10-2131890-0000 (2020-07-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020180131181 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-10-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 화학식 1로 표시되는 갈륨(Ga)이 도핑된 LLZO 고체전해질의 제조방법이 제공된다. 본 발명의 갈륨 도핑 고체전해질의 제조방법은 출발물질의 갈륨(Ga) 함량 및 리튬(Li) 함량을 조절하고 테일러 반응 공법에 의해 공침반응을 수행하되 원료 공급 유속을 제어함으로써, 고정도의 큐빅(Cubic) 구조 형성 및 소결 특성 향상에 의해 고체전해질의 이온전도도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.또한, 본 발명은 합성조건(갈륨(Ga) 도핑 함량, pH 값, Li excess 함량, 펠렛 소결시간)이 이온전도성에 미치는 영향을 확인하
(a) 란타늄(La) 전구체, 지르코늄(Zr) 전구체, 갈륨(Ga) 전구체, 착화제 및 pH 조절제를 포함하는 반응물 수용액을 pH 10 내지 11로 하여 쿠에트 테일러 와류 조건 하에서 공침 반응시켜 액상 고체전해질 전구체를 제조하는 단계;(b) 상기 액상 고체전해질 전구체를 건조하여 고체전해질 전구체를 제조하는 단계;(c) 상기 고체전해질 전구체를 리튬(Li) 소스와 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계; 및(d) 상기 혼합물을 열처리하여 화학식 1로 표시되는 갈륨 도핑 리튬 란타늄 지르코늄 산화물(lithium lanthanum z
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