초록 ▼

본 발명은, 현상성, 내열성 및 드라이에칭내성이 우수한 노볼락형 수지 및 레지스트막을 제공하는 것을 과제로 한다.이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 하기 구조식(1)[식 중 α는 하기 구조식(2)으로 표시되는 구조 부위(α)이고, n은 2∼10의 정수이다]으로 표시되는 분자 구조를 갖는 환상 노볼락형 수지(A)를 함유하고, 수지 중에 존재하는 X 중 적어도 하나가 3급 알킬기, 알콕시알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 헤테로 원자 함유 환상 탄화수소기, 트리알킬실릴기 중 어느 하나이고, 수지 중에 존재하는 구조 부위(α) 중

본 발명은, 현상성, 내열성 및 드라이에칭내성이 우수한 노볼락형 수지 및 레지스트막을 제공하는 것을 과제로 한다.이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 하기 구조식(1)[식 중 α는 하기 구조식(2)으로 표시되는 구조 부위(α)이고, n은 2∼10의 정수이다]으로 표시되는 분자 구조를 갖는 환상 노볼락형 수지(A)를 함유하고, 수지 중에 존재하는 X 중 적어도 하나가 3급 알킬기, 알콕시알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 헤테로 원자 함유 환상 탄화수소기, 트리알킬실릴기 중 어느 하나이고, 수지 중에 존재하는 구조 부위(α) 중 적어도 하나는 l이 1인 구조 부위(α1)이고, 적어도 하나는 l이 2인 구조 부위(α2)인 것을 특징으로 하는 노볼락형 수지를 제공한다.

대표청구항 ▼

하기 구조식(1)[식 중 α는 하기 구조식(2)(식 중 R1은 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기 중 어느 하나이다.R2은 각각 독립으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, 나프탈렌환 상의 어느 탄소 원자에 결합하고 있어도 되고, m은 1∼5의 정수이다.X는 수소 원자, 3급 알킬기, 알콕시알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 헤테로 원자 함유 환상 탄화수소기, 트리알킬실릴기 중 어느 하나이고, -OX기는 나프탈렌환 상의 어느 탄소 원자에 결합하고 있어도 되고, l은 1

하기 구조식(1)[식 중 α는 하기 구조식(2)(식 중 R1은 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기 중 어느 하나이다.R2은 각각 독립으로 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자 중 어느 하나이고, 나프탈렌환 상의 어느 탄소 원자에 결합하고 있어도 되고, m은 1∼5의 정수이다.X는 수소 원자, 3급 알킬기, 알콕시알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 헤테로 원자 함유 환상 탄화수소기, 트리알킬실릴기 중 어느 하나이고, -OX기는 나프탈렌환 상의 어느 탄소 원자에 결합하고 있어도 되고, l은 1 또는 2이다)으로 표시되는 구조 부위(α)이고, n은 2∼10의 정수이다]으로 표시되는 분자 구조를 갖는 환상 노볼락형 수지(A)와, 상기 구조 부위(α)를 반복 단위로서 갖는 비환상 노볼락형 수지(B)를 함유하고, 수지 중에 존재하는 X 중 적어도 하나가 3급 알킬기, 알콕시알킬기, 아실기, 알콕시카르보닐기, 헤테로 원자 함유 환상 탄화수소기, 트리알킬실릴기 중 어느 하나이고, 수지 중에 존재하는 구조 부위(α) 중 적어도 하나는 l이 1인 구조 부위(α1)이고, 적어도 하나는 l이 2인 구조 부위(α2)인 것을 특징으로 하는 노볼락형 수지.