[특허]에어 갭을 갖는 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법

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IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/11556 H01L-021/311 H01L-021/764 H01L-023/31 H01L-027/11524 H01L-027/1157 H01L-027/11582
출원번호	10-2019-0009650 (2019-01-25)
공개번호	10-2020-0092576 (2020-08-04)
등록번호	10-2159255-0000 (2020-09-17)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020190009650
발명자 / 주소	송윤흡 / 경기도 성남시 분당구 수내로 , 동 **호 (수내동, 양지마을금호단지아파트)
출원인 / 주소	삼성전자 주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소	리앤목특허법인
심사청구여부	있음 (2019-01-25)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

전하 저장층인 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층에서 이웃하는 셀들 사이의 간섭 현상을 완화하는 구조의 3차원 플래시 메모리 및 그 제조 방법이 개시된다.일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 제1 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 대해 수직적으로 적층되도록 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장 형성되는 복수의 전극층들; 상기 복수의 전극층들 사이에 개재되어 상기 복수의 전극층들을 서로 이격시키는 복수의 에어 갭(Air gap)들; 및 제1 산화물층, 질화물층 및 제2 산화물층으로 각각 구성된 채, 상기 적어도 하나의 채널층과 상기 복수의 전극층들 사이를 연결하도록 상기 제1 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 ONO층을 포함하고, 상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 적어도 하나의 ONO층에서 상기 복수의 전극층들에 각각 맞닿는 셀들 사이의 간섭 현상을 완화하는 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

3차원 플래시 메모리에 있어서, 제1 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 채널층; 상기 적어도 하나의 채널층에 대해 수직적으로 적층되도록 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장 형성되는 복수의 전극층들; 상기 복수의 전극층들 사이에 개재되어 상기 복수의 전극층들을 서로 이격시키는 복수의 에어 갭(Air gap)들; 및 제1 산화물층, 질화물층 및 제2 산화물층으로 각각 구성된 채, 상기 적어도 하나의 채널층과 상기 복수의 전극층들 사이를 연결하도록 상기 제1 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 ONO(Oxide-Nitride-Oxide)층을 포함하고, 상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 적어도 하나의 ONO층 중 상기 제1 산화물층 및 상기 질화물층이 상기 복수의 에어 갭들과 맞닿는 영역에서 식각됨으로써, 상기 적어도 하나의 ONO층에서 상기 복수의 전극층들에 각각 맞닿는 셀들 사이의 간섭 현상을 완화하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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