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에어 갭 및 씰링층을 포함하는 디램 소자 및 그 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-027/108
출원번호 10-2019-0105873 (2019-08-28)
공개번호 10-2021-0025893 (2021-03-10)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190105873
발명자 / 주소
  • 강윤구 / 경기도 화성시 삼성전자로 * 삼성전자(주)화성사업장
  • 유원석 / 경기도 화성시 삼성전자로 * 삼성전자(주)화성사업장
  • 안호균 / 경기도 화성시 삼성전자로 * 삼성전자(주)화성사업장
  • 박경욱 / 경기도 화성시 삼성전자로 * 삼성전자(주)화성사업장
  • 이다인 / 경기도 화성시 삼성전자로 * 삼성전자(주)화성사업장
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
대리인 / 주소
  • 하영욱
법적상태 공개

초록

에어 갭 및 씰링층을 갖는 디램 소자 및 그 제조 방법이 설명된다. 본 개시의 실시예들에 의한 씰링층은 제1 방향성 증착 공정을 이용하여 형성된 제1 씰링층 및 제2 방향성 증착 공정을 이용하여 형성된 제2 씰링층을 포함할 수 있다.

대표청구항

기판 내에 배치되어 소스 영역 및 드레인 영역을 정의하는 아이솔레이션 영역;상기 기판 상에 배치되고 상기 소스 영역과 연결된 비트 라인 구조체;상기 비트 라인 구조체의 측면들 상에 배치된 이너 스페이서, 에어 갭, 및 아우터 스페이서;상기 기판 상에 배치되고 상기 드레인 영역과 연결된 스토리지 컨택;상기 스토리지 컨택 상의 랜딩 패드 구조체;상기 비트 라인 구조체와 상기 랜딩 패드 구조체 사이의 패드 분리 트렌치 내에 배치된 씰링층 및 패드 분리 절연층; 및상기 랜딩 패드 구조체 상의 스토리지 구조체;를 포함하고,상기 이너 스페이서

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 반도체 메모리 장치 | 송정우, 이예로, 황광태, 김광민, 김용관, 김지영
  2. [미국] METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE | LEE, Mong-sup, LEE, Sang-jun, SON, Yoon-ho
  3. [미국] SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE | Wang, Ying-Chiao, Feng, Li-Wei, Ho, Chien-Ting, Lu, Wen-Chieh, Liu, Li-Wei
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