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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2019-0011761 (2019-01-30) | |
공개번호 | 10-2020-0094869 (2020-08-10) | |
등록번호 | 10-2167049-0000 (2020-10-12) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190011761 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2019-01-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
FinFET 소자가 개시된다. FinFET 소자는 기판, 기판에 형성된 버퍼층, 버퍼층에 핀 형상으로 형성되고, 폭이 20nm 내지 80nm이며, 제1 물질층과 제2 물질층이 접합되어 형성된 이종물질 접합층, 이종물질 접합층을 감싸도록 형성된 유전체층 및 유전체층을 감싸도록 형성된 게이트층을 포함한다.
기판;상기 기판에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층에 핀 형상으로 형성되고, 폭이 20nm 내지 80nm이며, 제1 물질층과 제2 물질층이 접합되어 형성된 이종물질 접합층;상기 이종물질 접합층을 감싸도록 형성된 유전체층; 및상기 유전체층을 감싸도록 형성된 게이트층;을 포함하고,상기 이종물질 접합층의 제1 물질층은,m-평면(plane) 방향으로 형성된, FinFET 소자.
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