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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2019-0020606 (2019-02-21) | |
| 공개번호 | 10-2020-0102608 (2020-09-01) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020190020606 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 공개 |
본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는, 기판 상의 절연막, 상기 기판 상에 수평적으로 배열된 메모리 셀 어레이들, 상기 절연막에 제공되고, 상기 메모리 셀 어레이들 사이에 배치되는 셀 더미 패턴, 상기 절연막에 제공된 셀 도전 패턴을 포함하는 도전부, 상기 절연막에 제공되고, 상기 셀 더미 패턴과 상기 셀 도전 패턴을 연결하는 셀 콘택 플러그를 포함하되, 상기 메모리 셀 어레이들의 각각은 상기 절연막에 수평적으로 배열된 메모리 셀들을 포함하고, 상기 셀 더미 패턴의 상면의 레벨은 상기 메모리 셀들 각각의 상면의 레벨과 동일하다.
기판 상에 수평적으로 배열되고 메모리 셀들을 포함하는메모리 셀 어레이들;평면적 관점에서, 상기 메모리 셀 어레이들 사이에 배치되는 셀 더미 패턴;상기 기판 상의 셀 도전 패턴;상기 셀 더미 패턴과 상기 셀 도전 패턴을 연결하는 셀 콘택 플러그를 포함하되,평면적 관점에서, 상기 셀 더미 패턴은 상기 메모리 셀 어레이들 사이에 배치되고, 상기 메모리 셀 어레이의 일 측면을 따라 연장되는 반도체 소자.
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