[특허]반도체 메모리 소자용 커패시터 및 이의 제조 방법

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[한국특허] 반도체 메모리 소자용 커패시터 및 이의 제조 방법
CAPACITOR FOR SEMICONTUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-027/108 H01L-021/02 H01L-021/268 H01L-021/28 H01L-021/324 H01L-049/02
출원번호	10-2019-0022515 (2019-02-26)
공개번호	10-2020-0104075 (2020-09-03)
등록번호	10-2246261-0000 (2021-04-23)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020190022515
발명자 / 주소	허광수 / 경기도 용인시 기흥구 공세로 *-(공세동)
출원인 / 주소	삼성에스디아이 주식회사 / 경기도 용인시 기흥구 공세로 *- (공세동)
대리인 / 주소	팬코리아특허법인
심사청구여부	있음 (2020-02-27)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 상에 비정질(amorphous), 단사정계(monoclinic) 및 이들의 조합 중 적어도 하나의 결정 구조를 갖는 하프늄 산화막 전구체를 3 내지 20 nm의 두께로 형성하는 단계; 상기 하프늄 산화막 전구체 상에 상기 하부 전극과 주 결정 방위(dominant crystallographic orientation)가 상이한 상부 전극을 형성하는 단계; 및 450 내지 600℃에서 열처리 하여 상기 하프늄 산화막 전구체를 정방정계(tetragonal) 결정 구조를 갖는 하프늄

대표청구항 ▼

기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 비정질(amorphous), 단사정계(monoclinic) 및 이들의 조합 중 적어도 하나의 결정 구조를 갖는 하프늄 산화막 전구체를 3 내지 20 nm의 두께로 형성하는 단계;상기 하프늄 산화막 전구체 상에 상기 하부 전극과 주 결정 방위(dominant crystallographic orientation)가 상이한 상부 전극을 형성하는 단계; 및450 내지 600℃에서 열처리 하여 상기 하프늄 산화막 전구체를 정방정계(tetragonal) 결정 구조를 갖는 하프늄 산화막

기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 비정질(amorphous), 단사정계(monoclinic) 및 이들의 조합 중 적어도 하나의 결정 구조를 갖는 하프늄 산화막 전구체를 3 내지 20 nm의 두께로 형성하는 단계;상기 하프늄 산화막 전구체 상에 상기 하부 전극과 주 결정 방위(dominant crystallographic orientation)가 상이한 상부 전극을 형성하는 단계; 및450 내지 600℃에서 열처리 하여 상기 하프늄 산화막 전구체를 정방정계(tetragonal) 결정 구조를 갖는 하프늄 산화막으로 상 변화 시키는 단계를 포함하는 반도체 메모리 소자용 커패시터의 제조 방법.

이 특허에 인용된 특허 (3)

[한국] 유전막을 포함하는 반도체 소자 | 임재순, 조규호, 최재형, 김윤수
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[한국] 강유전성 메모리 셀 형성 방법들 및 관련 반도체 디바이스 구조들 | 타오, 치안, 록클레인, 매튜 엔., 쿡, 베쓰 알., 라마스와미, 디. 브이. 니르말
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[한국] 커패시터를 포함하는 반도체 소자 | 문선민, 박영림, 조규호, 임한진
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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