초록 ▼

본 발명에 따르면, 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 포함한 피흡착체를 정전기력으로 흡착 고정하는 정전척을 제조하는 방법으로서, 세라믹 소결체를 준비하는 단계(S100); 상기 세라믹 소결체 상에 메탈 패턴 전극을 형성하는 단계(S200); 상기 세라믹 소결체 및 상기 메탈 전극 위에 절연체 물질을 이용하여 유전층을 형성하는 단계(S300); 상기 유전층 위에 보호층을 형성하는 단계(S400); 및 상기 보호층을 폴리싱하는 단계(S500);를 포함하는, 정전척을 제조하는 방법을 개시한다. 또한, 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 포함한 피흡착

본 발명에 따르면, 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 포함한 피흡착체를 정전기력으로 흡착 고정하는 정전척을 제조하는 방법으로서, 세라믹 소결체를 준비하는 단계(S100); 상기 세라믹 소결체 상에 메탈 패턴 전극을 형성하는 단계(S200); 상기 세라믹 소결체 및 상기 메탈 전극 위에 절연체 물질을 이용하여 유전층을 형성하는 단계(S300); 상기 유전층 위에 보호층을 형성하는 단계(S400); 및 상기 보호층을 폴리싱하는 단계(S500);를 포함하는, 정전척을 제조하는 방법을 개시한다. 또한, 반도체 제조공정 중 웨이퍼를 포함한 피흡착체를 정전기력으로 흡착 고정하는 정전척을 재생하는 방법으로서, 반복적인 사용으로 인해 표면이 손상된 정전척을 준비하는 단계(S600); 상기 손상된 정전척의 손상된 부분 이상의 두께의 유전층을 평탄화 가공하는 단계(S700); 상기 평탄화 가공을 한 정전척의 평탄화된 표면의 상부에, 절연체 물질을 이용하여 유전층을 재형성하는 단계(S310); 상기 유전층 위에 보호층을 형성하는 단계(S400); 및 상기 보호층을 폴리싱하는 단계(S500);를 포함하는, 정전척을 재생하는 방법을 개시한다.

대표청구항 ▼

반도체 제조공정 중 웨이퍼를 포함한 피흡착체를 정전기력으로 흡착 고정하는 정전척을 제조하는 방법으로서, 세라믹 소결체를 준비하는 단계(S100); 상기 세라믹 소결체 상에 메탈 패턴 전극을 형성하는 단계(S200); 상기 세라믹 소결체 및 상기 메탈 패턴 전극 위에 절연체 물질을 이용하여 유전층을 형성하는 단계(S300); 상기 유전층 위에 보호층을 형성하는 단계(S400); 및 상기 보호층을 폴리싱하는 단계(S500);를 포함하며,상기 방법은,상기 정전척과의 사이에 일정한 공차를 가지면서 증착링을 상기 정전척의 가장자리 상단에 위

반도체 제조공정 중 웨이퍼를 포함한 피흡착체를 정전기력으로 흡착 고정하는 정전척을 제조하는 방법으로서, 세라믹 소결체를 준비하는 단계(S100); 상기 세라믹 소결체 상에 메탈 패턴 전극을 형성하는 단계(S200); 상기 세라믹 소결체 및 상기 메탈 패턴 전극 위에 절연체 물질을 이용하여 유전층을 형성하는 단계(S300); 상기 유전층 위에 보호층을 형성하는 단계(S400); 및 상기 보호층을 폴리싱하는 단계(S500);를 포함하며,상기 방법은,상기 정전척과의 사이에 일정한 공차를 가지면서 증착링을 상기 정전척의 가장자리 상단에 위치시키는 단계; 및 상기 반도체 제조공정 과정에서 타겟 물질이 상기 피흡착체에 코팅되는 동시에 상기 정전척의 가장자리 상단에 상기 타겟 물질이 증착되는 것으로부터 보호할 수 있으며 상기 타겟 물질이 증착되는 경우 새로운 교체형 정전척 금속증착 보호부재로 교체가 가능하도록, 상기 증착링과 상기 정전척 사이의 공차에 교체형 정전척 금속증착 보호부재를 배치시키는 단계;를 더 포함하는,정전척을 제조하는 방법.