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탄화규소 잉곳 및 이의 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-023/00
  • C30B-029/36
  • H01L-021/02
출원번호 10-2019-0071570 (2019-06-17)
등록번호 10-2104751-0000 (2020-04-20)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190071570
발명자 / 주소
  • 박종휘 / 경기도 수원시 장안구 파장천로**번길 *, B동 ***호 (파장동)
  • 김정규 / 경기도 수원시 장안구 천천로**번길 **, ***동 ***호 (정자동, 대월마을 주공아파트)
  • 심종민 / 경기도 화성시 봉담읍 동화역말길 **, ***동 ****호 (휴먼시아*단지아파트)
  • 견명옥 / 경기도 수원시 장안구 천천로**번길 **, ***동 ****호 (정자동, 대월마을 주공아파트)
  • 최정우 / 경기도 수원시 장안구 천천로**번길 **, ***동 ****호 (정자동, 대월마을대림진흥아파트)
  • 구갑렬 / 경기도 수원시 장안구 이목로 **, ***동 ***호 (정자동, 수원SKSKYVIEW)
  • 고상기 / 경기도 수원시 장안구 덕영대로***번길 **, ***동 ****호 (율전동, 성균관대역서희스타힐스아파트*단지 )
  • 장병규 / 경기도 수원시 장안구 만석로**번길 **, ***동 ****호 (정자동, 백설마을 현대.코오롱아파트)
출원인 / 주소
  • 에스케이씨 주식회사 / 경기도 수원시 장안구 장안로***번길 **(정자동)
대리인 / 주소
  • 정화승
심사청구여부 있음 (2019-06-17)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

본 명세서는 탄화규소 잉곳 및 이의 제조방법에 대한 것으로, 도가니 본체에 원료를, 그리고 탄화규소 시드가 위치하는 도가니 덮개를 상기 도가니 본체에 배치한 후 그 밀도가 0.14 내지 0.28 g/cc인 단열재로 상기 도가니 본체를 감싸서 반응용기를 마련하는 준비단계; 및 상기 반응용기를 반응챔버 내에 위치시키고 상기 반응용기 내부를 결정성장분위기로 조절하여 상기 원료가 상기 탄화규소 시드를 향하도록 증기 이송시키고, 상기 탄화규소 시드로부터 성장시킨 탄화규소 잉곳을 마련하는 성장단계;를 포함하여, 고품질의 4H SiC을 함유하는

대표청구항

도가니 본체에 원료를, 그리고 상기 도가니 본체에 탄화규소 시드가 위치하는 도가니 덮개를 배치한 후 밀도가 0.14 내지 0.19 g/cc인 단열재로 상기 도가니 본체를 감싸서 반응용기를 마련하는 준비단계; 및 상기 반응용기를 반응챔버 내에 위치시키고 상기 반응용기 내부를 결정성장분위기로 조절하여 상기 원료가 상기 탄화규소 시드에 증기이송되고 증착되어 상기 탄화규소 시드로부터 성장시킨 탄화규소 잉곳을 마련하는 성장단계;를 포함하고,상기 단열재는 압축강도가 0.2 Mpa 이상인 탄소계 펠트를 포함하고,상기 단열재는 기공도가 80 내지

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 탄화규소 잉곳, 탄화규소 기판, 이들의 제조 방법, 도가니, 및 반도체 기판 | 사사키 마코토, 하라다 신, 니시구치 다로, 오키타 교코, 이노우에 히로키, 나미카와 야스오, 후지와라 신스케
  2. [일본] METHOD FOR PRODUCING FACET-FREE SiC BULK SINGLE CRYSTAL, SiC BULK SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE | STRAUBINGER THOMAS, VOGEL MICHAEL, WOHLFART ANDREAS

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 웨이퍼의 제조방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조방법, 이에 따라 제조된 웨이퍼 및 에피택셜 웨이퍼 | 박종휘, 김정규, 최정우, 장병규, 양은수, 이연식, 고상기, 구갑렬
  2. [한국] 웨이퍼 및 웨이퍼의 제조방법 | 박종휘, 최정우, 심종민, 견명옥, 장병규, 고상기, 구갑렬, 김정규
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