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탄화규소 잉곳의 제조방법, 탄화규소 잉곳 및 이의 성장 시스템 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-023/00
  • C30B-029/36
  • H01L-021/02
  • H01L-021/304
  • H01L-021/67
출원번호 10-2019-0062317 (2019-05-28)
등록번호 10-2187449-0000 (2020-12-01)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190062317
발명자 / 주소
  • 박종휘 / 경기도 수원시 장안구 파장천로**번길 *, B동 ***호 (파장동)
  • 최정우 / 경기도 수원시 장안구 천천로**번길 **, ***동 ****호 (정자동, 대월마을대림진흥아파트)
  • 김정규 / 경기도 수원시 장안구 천천로**번길 **, ***동 ***호 (정자동, 대월마을 주공아파트)
  • 구갑렬 / 경기도 수원시 장안구 이목로 **, ***동 ***호 (정자동, 수원SKSKYVIEW)
  • 고상기 / 경기도 수원시 장안구 덕영대로***번길 **, ***동 ****호 (율전동, 성균관대역서희스타힐스아파트*단지 )
  • 장병규 / 경기도 수원시 장안구 만석로**번길 **, ***동 ****호 (정자동, 백설마을 현대.코오롱아파트)
  • 심종민 / 경기도 화성시 봉담읍 동화역말길 **, ***동 ****호 (휴먼시아*단지아파트)
  • 견명옥 / 경기도 수원시 장안구 천천로**번길 **, ***동 ****호 (정자동, 대월마을 주공아파트)
출원인 / 주소
  • 에스케이씨 주식회사 / 경기도 수원시 장안구 장안로***번길 **(정자동)
대리인 / 주소
  • 정화승
심사청구여부 있음 (2019-05-28)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

본 발명의 탄화규소 잉곳의 제조방법, 탄화규소 잉곳, 탄화규소 잉곳 제조 시스템 등은, 내부공간을 갖는 도가니 본체 및 상기 도가니 본체를 덮는 도가니 덮개를 포함하는 도가니 조립체를 준비하고, 원료와 탄화규소 시드를 배치한 후, 탄화규소 잉곳을 성장시키되, 상기 원료의 무게 1을 기준으로 상기 도가니 조립체의 무게가 1.5 내지 2.7인 중량비율이 되도록 적용하는 등의 방법으로 탄화규소 잉곳을 마련하여, 대면적이면서도 결함이 적은 탄화규소 잉곳을 제공한다.

대표청구항

내부공간을 갖는 도가니 본체 및 상기 도가니 본체를 덮는 도가니 덮개를 포함하는 도가니 조립체를 준비하는 준비단계; 상기 도가니 조립체 내에 원료를 장입하고 탄화규소 시드를 상기 원료와 일정한 간격을 두고 배치되도록 하는 원료장입단계; 그리고상기 도가니 조립체의 내부공간을 결정성장분위기로 조절하여 상기 원료가 상기 탄화규소 시드에 증기 이송되어 증착되고 상기 탄화규소 시드로부터 성장된 탄화규소 잉곳을 마련하는 성장단계;를 포함하고, 상기 도가니 조립체는, 상기 원료의 중량을 1로 보았을 때, 상기 도가니 조립체의 중량이 1.5 내지

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 탄화규소 잉곳, 탄화규소 기판, 이들의 제조 방법, 도가니, 및 반도체 기판 | 사사키 마코토, 하라다 신, 니시구치 다로, 오키타 교코, 이노우에 히로키, 나미카와 야스오, 후지와라 신스케
  2. [일본] METHOD FOR PRODUCING FACET-FREE SiC BULK SINGLE CRYSTAL, SiC BULK SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL SiC SUBSTRATE | STRAUBINGER THOMAS, VOGEL MICHAEL, WOHLFART ANDREAS
  3. [일본] SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL INGOT | NAKABAYASHI MASASHI, SHIMOMURA KOTA, NAGAHATA YUKIO, KOJIMA KIYOSHI
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