초록 ▼

본 발명의 기술적 사상은, 한 번의 공정을 통해 이온 깊이 프로파일이 박스 프로파일이 되도록 하는 이온 깊이 프로파일 제어방법, 그 제어방법에 기반으로 한 이온 임플란트 방법과 반도체 소자 제조방법, 및 그 제어방법을 채용한 이온 임플란트 시스템을 제공한다. 그 제어방법은 이온 임플란트(ion implant) 공정에서의 웨이퍼의 깊이에 따른 이온 농도인 이온 깊이 프로파일(ion depth profile)과 타겟 프로파일인 박스 프로파일(box profile)과의 유사도를 보상(reward)으로 받는 강화 학습(reinforceme

본 발명의 기술적 사상은, 한 번의 공정을 통해 이온 깊이 프로파일이 박스 프로파일이 되도록 하는 이온 깊이 프로파일 제어방법, 그 제어방법에 기반으로 한 이온 임플란트 방법과 반도체 소자 제조방법, 및 그 제어방법을 채용한 이온 임플란트 시스템을 제공한다. 그 제어방법은 이온 임플란트(ion implant) 공정에서의 웨이퍼의 깊이에 따른 이온 농도인 이온 깊이 프로파일(ion depth profile)과 타겟 프로파일인 박스 프로파일(box profile)과의 유사도를 보상(reward)으로 받는 강화 학습(reinforcement learning)을 수행하는 단계; 상기 강화 학습의 결과로서 상기 이온 임플란트 공정의 적어도 하나의 공정 조건을 획득하는 단계; 및 상기 적어도 하나의 공정 조건에 대한 공정 레시피를 생성하는 단계;를 포함한다.

대표청구항

이온 임플란트(ion implant) 공정에서의 웨이퍼의 깊이에 따른 이온 농도인 이온 깊이 프로파일(ion depth profile)과 타겟 프로파일인 박스 프로파일(box profile)과의 유사도를 보상(reward)으로 받는 강화 학습(reinforcement learning)을 수행하는 단계;상기 강화 학습의 결과로서 상기 이온 임플란트 공정의 적어도 하나의 공정 조건을 획득하는 단계; 및상기 적어도 하나의 공정 조건에 대한 공정 레시피를 생성하는 단계;를 포함하는 이온 깊이 프로파일 제어방법.

이온 임플란트(ion implant) 공정에서의 웨이퍼의 깊이에 따른 이온 농도인 이온 깊이 프로파일(ion depth profile)과 타겟 프로파일인 박스 프로파일(box profile)과의 유사도를 보상(reward)으로 받는 강화 학습(reinforcement learning)을 수행하는 단계;상기 강화 학습의 결과로서 상기 이온 임플란트 공정의 적어도 하나의 공정 조건을 획득하는 단계; 및상기 적어도 하나의 공정 조건에 대한 공정 레시피를 생성하는 단계;를 포함하는 이온 깊이 프로파일 제어방법.