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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2017-0124529 (2017-09-26) | |
| 공개번호 | 10-2019-0035388 (2019-04-03) | |
| 등록번호 | 10-2482878-0000 (2022-12-26) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020170124529 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2020-09-10) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
집적회로 소자를 제조하기 위하여, 기판 상에 화학증폭형 폴리머를 포함하는 DBARC 막을 형성한다. 상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형 수지 및 PAG를 포함하는 포토레지스트막을 형성한다. 상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG부터 산을 발생시킨다. 상기 노광된 제1 영역에 있는 상기 산을 상기 DBARC 막 중 상기 제1 영역에 대면하는 제1 DBARC 영역으로 확산시킨다. 상기 포토레지스트막 및 상기 DBARC 막을 현상하여 상기 제1 영역 및 상기 제1 DBARC 영역을 제거한다
기판 상에 화학증폭형(chemically amplified) 폴리머를 포함하는 DBARC(developable bottom anti-reflective coating) 막을 형성하는 단계와, 상기 DBARC 막 상에 비화학증폭형(non-chemically amplified) 수지, PAC(photo active compound), 및 PAG(photoacid generator)를 포함하는 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트막에서 선택되는 제1 영역을 노광하여 상기 제1 영역에서 상기 PAG부터 제1 산을 발생시키고
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