최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
---|---|---|
국제특허분류(IPC8판) |
|
|
출원번호 | 10-2019-0082503 (2019-07-09) | |
공개번호 | 10-2021-0006642 (2021-01-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020190082503 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
|
|
대리인 / 주소 |
|
|
법적상태 | 공개 |
본 발명은 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 실리콘 질화막 식각 용액 중 헤테로 아릴계 치환기를 갖는 화합물을 포함함으로써, 쉽게 분해되지 않으면서도 인산 수용액에서 높은 분포도를 나타냄으로써, 실리콘 산화막 대비 실리콘 질화막에 대한 식각 선택비를 향상시키는 것이 가능한 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용하여 수행되는 식각 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
인산 수용액; 및 하기의 화학식 1로 표시되는 화합물;을 포함하는실리콘 질화막 식각 용액:[화학식 1]상기 화학식 1에서,m 은 0 내지 20의 정수이고,R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8 은 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 할로알킬기, 히드록시기(-OH), C1-C10 의 알킬기 및 C3-C10 의 시클로알킬기로부터 선택되며,n 은 1 내지 20의 정수이고, A는 -(C(R9)(R10))p- 이며, R9 및 R10 은 각각 독립적으로 수소, C1-C10 의 알킬기 및 C3-C10 의 시클로알킬기로부터 선택되
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.