초록

본원 발명은 반도체 제조 공정 중 종횡비가 큰 미세 실리콘 패턴을 구현하기 위한 공정을 제공하기 위한 목적을 갖는 것으로서, 미세 실리콘 패턴을 형성하기 위하여 패턴 하부에 남아 있는 유기탄소막 불순물 및 흄에 의한 불순물을 제거하기 위하여 세정공정을 진행함으로서 리프팅 없이 원하는 패턴을 형성하는 신규의 세정 방법에 관한 것으로, 미세 패턴 형성 방법을 제공하는 효과를 나타내는 것이다.

대표청구항 ▼

반도체 제조 공정 중 실리콘 또는 실리콘 화합물 층에 실리콘 옥사이드 패턴 존재 하에 폴리층 또는 기타의 화합물층을 증착하는 공정에 있어서,i) 패터닝 된 실리콘 옥사이드 위에 유기막과 무기막을 차례대로 적층하고 패턴 형성을 위한 포토레지스트를 도포한 후 노광과 현상을 거쳐 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;ii) 상기 단계에서 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각이 가능한 가스로 건식 식각을 실시하여 식각하는 단계;iii) 폴리층 또는 기타의 화합물층 증착 전에 상기 식각 공정에 의해 발생된 불순물에 의하여 발생하는 리프팅을

반도체 제조 공정 중 실리콘 또는 실리콘 화합물 층에 실리콘 옥사이드 패턴 존재 하에 폴리층 또는 기타의 화합물층을 증착하는 공정에 있어서,i) 패터닝 된 실리콘 옥사이드 위에 유기막과 무기막을 차례대로 적층하고 패턴 형성을 위한 포토레지스트를 도포한 후 노광과 현상을 거쳐 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;ii) 상기 단계에서 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 식각이 가능한 가스로 건식 식각을 실시하여 식각하는 단계;iii) 폴리층 또는 기타의 화합물층 증착 전에 상기 식각 공정에 의해 발생된 불순물에 의하여 발생하는 리프팅을 방지하기 위하여 유기막이 남아 있는 패턴 웨이퍼를 0 내지 1,000rpm의 속도로 회전시키면서 세정액을 1 내지 200mL/s의 속도로 1초~200초 분사하여 50 내지 300mL 분사량으로 분사하고0~180초 정치한 후, 스핀드라이(spin dry) 공정으로 건조하는 세정하는 단계; 및iv) 폴리층 또는 기타의 화합물층을 증착 후 건식 식각을 진행하는 단계;로 이루어진 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하는 방법.