초록

네거티브 톤 현상 공정에 의해 포토리소그래픽 패턴을 형성하는 데에 유용한 포토레지스트 조성물이 제공된다. 네거티브 톤 현상 공정에 의한 포토리소그래픽 패턴 형성 방법 및 이 포토레지스트 조성물로 코팅된 기판이 또한 제공된다. 이 조성물, 방법 및 코팅된 기판은 반도체 장치의 제조에 특히 적용가능하다.

대표청구항 ▼

포토리소그래픽 패턴을 그 위에 갖는 기판으로서, 상기 포토리소그래픽 패턴이 하기 단계들을 포함하는 방법에 의하여 형성된 것인, 기판:(a) 기판 표면상에서 패턴화될 하나 이상의 층을 포함하는 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 패턴화될 하나 이상의 층 위에 포토레지스트 조성물의 층을 도포하는 단계(여기서, 상기 포토레지스트 조성물은 산 민감성인 제1 폴리머; 하기 일반식 (I)을 갖는 모노머로부터 형성된 제2 폴리머; 포토애시드 발생제; 및 용매를 포함하고, 상기 제2 폴리머는 산 불감성(acid insensitive)이고 불소 및

포토리소그래픽 패턴을 그 위에 갖는 기판으로서, 상기 포토리소그래픽 패턴이 하기 단계들을 포함하는 방법에 의하여 형성된 것인, 기판:(a) 기판 표면상에서 패턴화될 하나 이상의 층을 포함하는 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 패턴화될 하나 이상의 층 위에 포토레지스트 조성물의 층을 도포하는 단계(여기서, 상기 포토레지스트 조성물은 산 민감성인 제1 폴리머; 하기 일반식 (I)을 갖는 모노머로부터 형성된 제2 폴리머; 포토애시드 발생제; 및 용매를 포함하고, 상기 제2 폴리머는 산 불감성(acid insensitive)이고 불소 및 실리콘을 함유하지 않으며, 또한 상기 제2 폴리머는 상기 제1 폴리머의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 갖는다:상기 식에서, P는 중합성(polymerizable) 작용기이고; Z는, 임의로 -O-, -S-, -COO- 및 -CONR1-로부터 선택된 하나 이상의 연결 부위(linking moiety)를 갖는, 임의로 치환된 선형 또는 분지형 지방족 및 방향족 탄화수소 및 그 조합으로부터 선택된 스페이서 단위(spacer unit)이고, 여기서 R1은 수소, 및 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C10 선형 탄화수소, C3 내지 C10 분지형 탄화수소 및 C3 내지 C10 시클릭 탄화수소로부터 선택되며; n은 0 내지 5의 정수이고; R은 치환된 또는 비치환된 C1 내지 C20 선형 탄화수소, C3 내지 C20 분지형 탄화수소 및 C3 내지 C20 시클릭 탄화수소로부터 선택된다);(c) 상기 포토레지스트 조성물 층을 화학 조사선에 패턴화 노광시키는 단계;(d) 상기 노광된 포토레지스트 조성물 층을 노광후 베이킹(post-exposure bake) 공정에서 가열하는 단계; 및(e) 상기 포토레지스트 조성물 층에 현상제를 적용하는 단계(여기서 포토레지스트 층의 미노광 부분은 현상제에 의해 제거되고, 포토레지스트 패턴이 패턴화될 하나 이상의 층 위에 남는다).