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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2020-0017636 (2020-02-13) | |
공개번호 | 10-2020-0019654 (2020-02-24) | |
등록번호 | 10-2322184-0000 (2021-11-01) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2016-071381 (2016-03-31) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020200017636 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-12-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
In, Zn, O 로 이루어지는 스퍼터링 타깃으로서, Zn 과 In 의 원자비가 0.05 ≤ Zn/(In + Zn) ≤ 0.30 을 만족시키고, 그 타깃의 스퍼터 면에 있어서의 벌크 저항률의 표준 편차가 1.0 mΩ·㎝ 이하인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃. 소결체의 휨이 적고, 휨 저감을 위한 연삭에 의한 벌크 저항률의 면내 편차가 억제된 산화인듐-산화아연계 산화물 (IZO) 소결체 타깃의 제조 방법을 제공한다.
In, Zn, O 로 이루어지는 투명 도전막 형성용 스퍼터링 타깃으로서,Zn 과 In 의 원자비 Zn/(In + Zn) 이 0.08 초과 0.3 이하이고, 그 타깃의 스퍼터 면의 면적이 60000 ㎟ 이상 400000 ㎟ 이하일 때, 벌크 저항률이 1.0 mΩ·㎝ 이상 10 mΩ·㎝ 이하이며, 스퍼터 면에 있어서의 벌크 저항률의 표준 편차가 1.0 mΩ·㎝ 이하이고, 상대 밀도가 98 % 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타깃.
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